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公开(公告)号：CN108075032B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201711120587.X
申请日：2017-11-14
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/047
Abstract: 一种振动换能器包括：硅衬底、形成在硅衬底上的第一氧化物膜、形成在第一氧化物膜上的活化层、形成在活化层上的第二氧化物膜、形成在第二氧化物膜上的多晶硅层、和衬底接触部。在活化层中形成振子、与振子电导通的振子电极、靠近振子的固定电极、和配置为环绕振子的真空室。多晶硅层形成壳体。衬底接触部被配置为将多晶硅层和硅衬底电导通，并形成为在活化层中的未形成活化层的振子、振子电极、和固定电极的区域内连续环绕真空室域内。
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公开(公告)号：CN108075032A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711120587.X
申请日：2017-11-14
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/047
CPC classification number: H03H9/02448 , B81B7/0041 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81C1/00182 , B81C1/00698 , H03H9/02259 , H03H9/02433 , H03H9/1057 , H03H9/2405 , H03H9/2463 , H03H2009/02472 , H01L41/09 , H01L41/047
Abstract: 一种振动换能器包括：硅衬底、形成在硅衬底上的第一氧化物膜、形成在第一氧化物膜上的活化层、形成在活化层上的第二氧化物膜、形成在第二氧化物膜上的多晶硅层、和衬底接触部。在活化层中形成振子、与振子电导通的振子电极、靠近振子的固定电极、和配置为环绕振子的真空室。多晶硅层形成壳体。衬底接触部被配置为将多晶硅层和硅衬底电导通，并形成为在活化层中的未形成活化层的振子、振子电极、和固定电极的区域内连续环绕真空室域内。
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公开(公告)号：CN102954852B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210302845.7
申请日：2012-08-23
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L9/00
CPC classification number: G01L9/0016 , G01L9/0045
Abstract: 本发明提供了谐振式压力传感器及制造其的方法。包括布置在膜片上的一个或多个谐振型应变计的谐振式压力传感器可以包括：传感器衬底，其由硅制成，且包括其上布置有一个或多个谐振型应变计元件的一个表面和被抛光成厚度与膜片相应的另一表面；基底衬底，其由硅制成，且包括与所述传感器衬底的所述另一表面直接接合的一个表面；凹陷部分，其形成在所述基底衬底的与所述传感器衬底接合的部分中，以便基本上在传感器衬底中形成所述膜片，且包括预定间隙，该预定间隙不会由于外来物质而限制膜片的移动范围，并且该预定间隙对由谐振型应变计元件的振动而激发的膜片的振动进行抑制；一个或多个传导孔；以及流体。
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公开(公告)号：CN102954852A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210302845.7
申请日：2012-08-23
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L9/00
CPC classification number: G01L9/0016 , G01L9/0045
Abstract: 本发明提供了谐振式压力传感器及制造其的方法。包括布置在膜片上的一个或多个谐振型应变计的谐振式压力传感器可以包括：传感器衬底，其由硅制成，且包括其上布置有一个或多个谐振型应变计元件的一个表面和被抛光成厚度与膜片相应的另一表面；基底衬底，其由硅制成，且包括与所述传感器衬底的所述另一表面直接接合的一个表面；凹陷部分，其形成在所述基底衬底的与所述传感器衬底接合的部分中，以便基本上在传感器衬底中形成所述膜片，且包括预定间隙，该预定间隙不会由于外来物质而限制膜片的移动范围，并且该预定间隙对由谐振型应变计元件的振动而激发的膜片的振动进行抑制；一个或多个传导孔；以及流体。
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