公开(公告)号：CN104344921B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410381854.9

申请日：2014-08-05

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 吉田隆司 ,  三岛猛 ,  岩井滋人 ,  吉田勇作

IPC: G01L9/00

CPC classification number: H01L41/083 ,  H01L41/331 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/1057 ,  Y10T29/42

Abstract: 一种谐振换能器及其制作方法以及谐振换能器的多层结构，所述谐振换能器包括单晶硅衬底；被布置在单晶硅衬底上方的单晶硅谐振器；围绕谐振器并与谐振器具有一定间隙的由硅制成的壳体，该壳体与单晶硅衬底一起形成腔室；被配置为激发该谐振器的激发模块；被配置为检测传感器振动的振动检测模块；被布置在腔室上方的第一层，该第一层具有位于谐振器上方的通孔；被布置在第一层上方的第二层，该第二层覆盖了位于通孔上方并且与通孔连通的间隙；和覆盖了第一层和第二层的第三层，并且该第三层密封了间隙。

公开(公告)号：CN108075032B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201711120587.X

申请日：2017-11-14

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 三岛猛 ,  铃木广志

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/047

Abstract: 一种振动换能器包括：硅衬底、形成在硅衬底上的第一氧化物膜、形成在第一氧化物膜上的活化层、形成在活化层上的第二氧化物膜、形成在第二氧化物膜上的多晶硅层、和衬底接触部。在活化层中形成振子、与振子电导通的振子电极、靠近振子的固定电极、和配置为环绕振子的真空室。多晶硅层形成壳体。衬底接触部被配置为将多晶硅层和硅衬底电导通，并形成为在活化层中的未形成活化层的振子、振子电极、和固定电极的区域内连续环绕真空室域内。

公开(公告)号：CN104344921A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410381854.9

申请日：2014-08-05

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 吉田隆司 ,  三岛猛 ,  岩井滋人 ,  吉田勇作

IPC: G01L9/00

CPC classification number: H01L41/083 ,  H01L41/331 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/1057 ,  Y10T29/42

Abstract: 一种谐振换能器及其制作方法以及谐振换能器的多层结构，所述谐振换能器包括单晶硅衬底；被布置在单晶硅衬底上方的单晶硅谐振器；围绕谐振器并与谐振器具有一定间隙的由硅制成的壳体，该壳体与单晶硅衬底一起形成腔室；被配置为激发该谐振器的激发模块；被配置为检测传感器振动的振动检测模块；被布置在腔室上方的第一层，该第一层具有位于谐振器上方的通孔；被布置在第一层上方的第二层，该第二层覆盖了位于通孔上方并且与通孔连通的间隙；和覆盖了第一层和第二层的第三层，并且该第三层密封了间隙。

公开(公告)号：CN108075032A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711120587.X

申请日：2017-11-14

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 三岛猛 ,  铃木广志

IPC: H01L41/09 ,  H01L41/047

CPC classification number: H03H9/02448 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00698 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/02433 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02472 ,  H01L41/09 ,  H01L41/047

Abstract: 一种振动换能器包括：硅衬底、形成在硅衬底上的第一氧化物膜、形成在第一氧化物膜上的活化层、形成在活化层上的第二氧化物膜、形成在第二氧化物膜上的多晶硅层、和衬底接触部。在活化层中形成振子、与振子电导通的振子电极、靠近振子的固定电极、和配置为环绕振子的真空室。多晶硅层形成壳体。衬底接触部被配置为将多晶硅层和硅衬底电导通，并形成为在活化层中的未形成活化层的振子、振子电极、和固定电极的区域内连续环绕真空室域内。