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公开(公告)号：CN116698232A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310681339.1
申请日：2021-01-08
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L1/10
Abstract: 本公开提供了一种谐振压力传感器，包括：壳体；固定于壳体的壳体固定部；基底，其包括固定于壳体固定部的基底固定部以及与壳体固定部分离并从基底固定部延伸的基底分离部；第一谐振器，其被布置在基底分离部中，并基于由压力接收流体施加的静压导致的在基底中的应变来检测谐振频率的变化；以及处理器。压力接收流体夹在壳体固定部与基底之间的间隙中并包围基底。处理器基于检测到的谐振频率的变化来测量静压。
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公开(公告)号：CN103929144B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201410012729.0
申请日：2014-01-10
Applicant: 横河电机株式会社
CPC classification number: H02N11/00 , H03H3/0072 , H03H9/2463 , Y10T29/49007
Abstract: 公开了谐振式换能器及其制造方法。谐振式换能器包括：谐振器；谐振器电极，其连接至所述谐振器的端部；至少一个固定电极，其布置在所述谐振器附近；和掩埋部分，其形成在所述固定电极和所述谐振器电极之间。所述谐振器、所述谐振器电极和所述固定电极被利用同一有源层形成在衬底上。
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公开(公告)号：CN104344921A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410381854.9
申请日：2014-08-05
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L9/00
CPC classification number: H01L41/083 , H01L41/331 , H03H3/0072 , H03H9/1057 , Y10T29/42
Abstract: 一种谐振换能器及其制作方法以及谐振换能器的多层结构，所述谐振换能器包括单晶硅衬底；被布置在单晶硅衬底上方的单晶硅谐振器；围绕谐振器并与谐振器具有一定间隙的由硅制成的壳体，该壳体与单晶硅衬底一起形成腔室；被配置为激发该谐振器的激发模块；被配置为检测传感器振动的振动检测模块；被布置在腔室上方的第一层，该第一层具有位于谐振器上方的通孔；被布置在第一层上方的第二层，该第二层覆盖了位于通孔上方并且与通孔连通的间隙；和覆盖了第一层和第二层的第三层，并且该第三层密封了间隙。
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公开(公告)号：CN103929144A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410012729.0
申请日：2014-01-10
Applicant: 横河电机株式会社
CPC classification number: H02N11/00 , H03H3/0072 , H03H9/2463 , Y10T29/49007
Abstract: 公开了谐振式换能器及其制造方法。谐振式换能器包括：谐振器；谐振器电极，其连接至所述谐振器的端部；至少一个固定电极，其布置在所述谐振器附近；和掩埋部分，其形成在所述固定电极和所述谐振器电极之间。所述谐振器、所述谐振器电极和所述固定电极被利用同一有源层形成在衬底上。
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公开(公告)号：CN111239439B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201911171213.X
申请日：2019-11-26
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01P15/10
Abstract: 振动式传感器装置具备基座和检测基板。所述检测基板具有：可动部，在第1方向上移动；支承机构，由一个或多个支承部构成，一个或多个该支承部在沿着与所述第1方向相交的相交面的方向上延伸；中间固定部，经由所述支承机构与所述可动部连接；连接部，在作为沿着所述相交面的一方向的第2方向上，将固定于所述基座的安装部和所述中间固定部连接；及振子，至少一部分安装于一个或多个所述支承部。在所述相交面内与所述第2方向正交的第3方向上的所述连接部的最大尺寸比在所述第3方向上的所述支承机构的最大尺寸小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111239439A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911171213.X
申请日：2019-11-26
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01P15/10
Abstract: 振动式传感器装置具备基座和检测基板。所述检测基板具有：可动部，在第1方向上移动；支承机构，由一个或多个支承部构成，一个或多个该支承部在沿着与所述第1方向相交的相交面的方向上延伸；中间固定部，经由所述支承机构与所述可动部连接；连接部，在作为沿着所述相交面的一方向的第2方向上，将固定于所述基座的安装部和所述中间固定部连接；及振子，至少一部分安装于一个或多个所述支承部。在所述相交面内与所述第2方向正交的第3方向上的所述连接部的最大尺寸比在所述第3方向上的所述支承机构的最大尺寸小。
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公开(公告)号：CN113188690A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110024926.4
申请日：2021-01-08
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L1/10
Abstract: 本公开提供了一种谐振压力传感器，包括：壳体；固定于壳体的壳体固定部；基底，其包括固定于壳体固定部的基底固定部以及与壳体固定部分离并从基底固定部延伸的基底分离部；第一谐振器，其被布置在基底分离部中，并基于由压力接收流体施加的静压导致的在基底中的应变来检测谐振频率的变化；以及处理器。压力接收流体夹在壳体固定部与基底之间的间隙中并包围基底。处理器基于检测到的谐振频率的变化来测量静压。
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公开(公告)号：CN104344917B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410349914.9
申请日：2014-07-22
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L1/10
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0002 , B81B7/02 , B81B2201/0271 , B81B2201/0285 , B81C1/00198 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , G01L1/14 , G01N29/12 , G01N2291/014 , G01N2291/02827 , H01L41/094 , H03H3/0072 , H03H9/2463
Abstract: 本发明提供了一种谐振传感器、其制造方法以及一种用于谐振传感器的多层结构。该谐振传感器包括：单晶硅衬底；单晶硅谐振器，其设置在单晶硅衬底上方；由硅制成的壳体，其带间隙地围绕谐振器，并且与单晶硅衬底一起形成腔室；激励模块，其被配置为激发谐振器；振动检测模块，其被配置为检测谐振器的振动；第一层，其设置在腔室上方，该第一层具有通孔；第二层，其设置在第一层上方；第三层，其覆盖第一层和第二层；以及从第二层朝向谐振器延伸的突起，该突起在空间上与谐振器分离，该突起与第一层隔开第一间隙，第二层与第一层隔开第二间隙，第一间隙与第二间隙连通。
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公开(公告)号：CN113188690B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110024926.4
申请日：2021-01-08
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L1/10
Abstract: 本公开提供了一种谐振压力传感器，包括：壳体；固定于壳体的壳体固定部；基底，其包括固定于壳体固定部的基底固定部以及与壳体固定部分离并从基底固定部延伸的基底分离部；第一谐振器，其被布置在基底分离部中，并基于由压力接收流体施加的静压导致的在基底中的应变来检测谐振频率的变化；以及处理器。压力接收流体夹在壳体固定部与基底之间的间隙中并包围基底。处理器基于检测到的谐振频率的变化来测量静压。
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公开(公告)号：CN104344921B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410381854.9
申请日：2014-08-05
Applicant: 横河电机株式会社
IPC: G01L9/00
CPC classification number: H01L41/083 , H01L41/331 , H03H3/0072 , H03H9/1057 , Y10T29/42
Abstract: 一种谐振换能器及其制作方法以及谐振换能器的多层结构，所述谐振换能器包括单晶硅衬底；被布置在单晶硅衬底上方的单晶硅谐振器；围绕谐振器并与谐振器具有一定间隙的由硅制成的壳体，该壳体与单晶硅衬底一起形成腔室；被配置为激发该谐振器的激发模块；被配置为检测传感器振动的振动检测模块；被布置在腔室上方的第一层，该第一层具有位于谐振器上方的通孔；被布置在第一层上方的第二层，该第二层覆盖了位于通孔上方并且与通孔连通的间隙；和覆盖了第一层和第二层的第三层，并且该第三层密封了间隙。
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