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公开(公告)号：CN108198902A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711409404.6
申请日：2017-12-22
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804
摘要： 本发明公开了一种湿法刻蚀下料叠片的返工方法，包括如下步骤：A、将产生于镀膜之前、刻蚀之后出现的待返工硅片以净水冲洗、烘干待用；B、将待返工硅片置于扩散机中升温，添加氧气、磷、氮气进行沉积；C、沉积后进一步升温，并添加氧气、氮气，直接进行推进步骤；D、将完成推进的硅片进行降温、卸片；E、将完成步骤D后的硅片重新进行刻蚀、清洗并吹干即可。本发明的有益效果是：可以针对镀膜之前、刻蚀之后因自动化设备将硅片传送到料盒时出现的堆叠硅片不良品进行返工，具有节约返工时间、降低碎片率的效果。
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公开(公告)号：CN109301001B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201810725876.0
申请日：2018-07-04
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： PERC电池背场激光开槽图形，单硅晶片上设有背电极、直线开槽区、线段开槽区。在每个线段开槽区内，每个头尾相邻的两个线段开槽区间间均设有一个间隔区。线段开槽区和间隔区设在相应的相邻两个的直线开槽区之间的区域内，或者设在最边上的一个直线开槽区与相应的单硅晶片边缘之间。若干背电极均分成若干背电极组，同一个背电极组中两个相邻背电极间的前后间距相等，相邻两个背电极组件间的相邻两个背电极的左右间距相等。优点是：具有既能够有效的保留更多面积的钝化膜区域，减少对背钝化层的破坏作用，同时，又能够改善因线段开槽所带来铝硅接触电阻大的问题，从而提高太阳电池片开路电压、短路电流，进而最终提升太阳电池片的转换效率。
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公开(公告)号：CN111211179A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911044386.5
申请日：2019-10-30
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种MWT太阳电池背电场结构，包括从上到下依次叠加的正面氮化硅膜、二氧化硅膜、PN结、硅片、三氧化二铝膜和背面氮化硅膜，硅片正面设有正电极银栅线和贯穿孔电极正面，背面设有全铝背场、贯穿孔电极背面和均匀分布的背电极，全铝背场上设有铝栅线背场，铝栅线背场与背面贯穿孔电极之间设有贯穿孔隔离槽。一种MWT太阳电池背电场制造方法，包括以下步骤：激光打孔；制绒；扩散；掩膜印刷；刻蚀；退火；镀膜；背面激光开槽；丝网印刷；烧结。在MWT电池背面开创了全铝背场与铝栅线相结合设计的方式，在不影响转换效率的同时，降低了Al金属浆料的消耗，极大避免Al金属粉末残留影响贯穿孔电极，保证了MWT太阳电池的安全高效地持续运行。
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公开(公告)号：CN109473505A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811080923.7
申请日：2018-09-17
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/306
摘要： 本发明提出了一种湿法刻蚀方法，创新性的采用了链式与槽式相结合的湿法刻蚀方法，完美的解决了传统链式湿法刻蚀所导致的EL滚轮印、皮带印、黑点黑斑等问题，同时，除刻蚀槽外其他槽体滚轮不再使用，碱槽喷淋不再使用，从而减少了设备耗材的消耗与维护，极大的降低了设备的维护成本和极大的提高了生产效率。另外，本发明湿法刻蚀中碱槽不再使用喷淋，彻底解决了喷淋易堵塞而导致背面多孔硅去除不干净的隐患。
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公开(公告)号：CN109004063A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810741742.8
申请日：2018-07-06
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳电池领域，公开了一种晶硅太阳电池的热氧化方法，本发明方法对氮流量、氧流量、通气时间、压力和温度采用了特定的阶梯式控制，能够有效地在晶硅太阳电池表面生长一层均匀、高质量的SiO钝化膜，使硅片表面晶格缺陷和悬挂键缺陷能很好的修复，并能将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的转换效率。
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公开(公告)号：CN109742185B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201811565612.X
申请日：2018-12-20
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及晶硅太阳电池制造技术领域，为解决双面电池背面小白点比例高的问题，提供了一种改善晶硅双面电池小白点的变温变压热氧化工艺，包括以下步骤：(1)上料；(2)进舟；(3)升温；(4)吹扫；(5)抽真空；(6)氧化；(7)回压冷却；(8)出舟；(9)下料。本发明通过工艺设计，高温吹扫烘烤与低压快速排空相结合，使双面电池背面小白点比例不良率由20％下降至1％以内，大幅提高了双面电池的良率，提高了双面电池的可靠性，在低压高温快速排空环境下，为进行氧化时使硅片表面提供了更高的洁净度，使生长的SiO2更致密、更均匀，表面复合更少，从而为硅片提供了优良的钝化层。
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公开(公告)号：CN109378357B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811038411.4
申请日：2018-09-06
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
摘要： 本发明涉及晶硅太阳电池制造技术领域，为解决传统湿法刻蚀后刻蚀面绒面不均匀，导致背面SiN颜色离散性大和转换效率低的问题，提供了一种PERC双面太阳电池湿法刻蚀工艺，包括以下步骤：(1)滴水形成水膜；(2)一次刻蚀；(3)纯水清洗；(4)二次刻蚀；(5)纯水清洗；(6)酸洗；(7)纯水清洗；(8)烘干。本发明对硅片背面分别进行了初次刻蚀和再次刻蚀，不仅去除了硅片背面和边缘的PN结以及硅片背面的多孔硅，还使得硅片背面绒面均匀性好，出绒率高，对太阳光的吸收好，最终使背面转换效率达到0.2％的提升，双面率可提升10％；背面绒面更均匀，使得背面镀膜后SiN颜色一致性好，背面颜色合格率从97％提升到99.5％，效果显著。
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公开(公告)号：CN110164759B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910339128.3
申请日：2019-04-25
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，为解决现有PERC+LDSE电池片表面掺杂浓度过高、区域性扩散可控性弱、电池蓝光响应差、少子寿命低的问题，提供了一种区域性分层沉积扩散工艺，包括以下步骤：(1)硅片预处理；(2)预氧化；(3)低温低浓度磷源沉积；(4)高温中浓度磷源沉积；(5)形成PN结；(6)低温高浓度磷源沉积；(7)冷却，推出石英舟，将硅片取出。本发明采用区域性分层扩散控制，让硅片表面既有均匀的磷硅玻璃层，利于激光SE重掺杂，从而提高电池片的欧姆接触和良好的接触性能；又能使发射极区域有低的掺杂浓度和高质量的PN结，从而使电池片有优异的蓝光响应和高少子寿命的特点，最终提升电池片的转换效率。
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公开(公告)号：CN109004063B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810741742.8
申请日：2018-07-06
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳电池领域，公开了一种晶硅太阳电池的热氧化方法，本发明方法对氮流量、氧流量、通气时间、压力和温度采用了特定的阶梯式控制，能够有效地在晶硅太阳电池表面生长一层均匀、高质量的SiO钝化膜，使硅片表面晶格缺陷和悬挂键缺陷能很好的修复，并能将硅片表面磷扩散曲线发生再分布作用，使磷原子化学浓度与有效磷原子浓度比值减小，提高少子寿命，从而来提高晶硅电池片的转换效率。
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