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公开(公告)号：CN111129171B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201911424907.X
申请日：2019-12-31
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种用于碱抛的掩盖膜及其制备方法，所述掩盖膜位于电池片的表面，其包括以任意顺序相互覆盖排列的碳化硅层、氧化铝层和氧化硅层；本发明所述掩盖膜中包含碳化硅层、氧化铝层和氧化硅层，其中碳化硅和氧化硅层里面具有丰富的氢离子，其游离到电池片的表面及电池片体内，具有钝化电池片的作用，从而有利于提升电池片的转换效率，而碳化硅层和氧化铝层具有致密特性，能有效抵御后续工艺中碱液的腐蚀；且本发明所述掩盖膜的制备迅速，所需温度低且能通过肉眼判断是否生成掩盖膜及掩盖膜的厚度。
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公开(公告)号：CN111211179A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911044386.5
申请日：2019-10-30
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： 本发明公开了一种MWT太阳电池背电场结构，包括从上到下依次叠加的正面氮化硅膜、二氧化硅膜、PN结、硅片、三氧化二铝膜和背面氮化硅膜，硅片正面设有正电极银栅线和贯穿孔电极正面，背面设有全铝背场、贯穿孔电极背面和均匀分布的背电极，全铝背场上设有铝栅线背场，铝栅线背场与背面贯穿孔电极之间设有贯穿孔隔离槽。一种MWT太阳电池背电场制造方法，包括以下步骤：激光打孔；制绒；扩散；掩膜印刷；刻蚀；退火；镀膜；背面激光开槽；丝网印刷；烧结。在MWT电池背面开创了全铝背场与铝栅线相结合设计的方式，在不影响转换效率的同时，降低了Al金属浆料的消耗，极大避免Al金属粉末残留影响贯穿孔电极，保证了MWT太阳电池的安全高效地持续运行。
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公开(公告)号：CN109285772B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810739068.X
申请日：2018-07-06
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01L31/18
摘要： 本发明属于太阳能电池片刻蚀技术领域。本发明公开了一种多晶硅电池片链式背抛光方法，将扩散后的多晶硅电池片正面喷洒水形成均匀水膜保护层，将多晶硅电池片与氢氟酸硝酸混合液接触除去多晶硅四周及背面的氧化层，将经上述处理后的多晶硅电池片与碱液接触进行腐蚀抛光，将处理后的多晶硅电池片用水清洗，将用水清洗后的多晶硅电池片依次用碱、酸进行清洗并干燥；本发明还公开了一种多晶硅电池片链式背抛光装置。本发明中的多晶硅电池片链式背抛光方法能够保证电池的效率和稳定性，不易形成“刻蚀印”而影响外观，还能降低酸使用量、漏电比例低、背抛光效果好；本发明中的多晶硅电池片链式背抛光装置能够良好的实现上述方法，保证连续化生产。
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公开(公告)号：CN109616551B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201811376002.5
申请日：2018-11-19
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明涉及多晶硅太阳能电池制作技术领域，为解决传统不良电池片返工工艺无法有效清除有机物、成品率低的问题，提供了一种多晶表面有机物不良电池片返工工艺，包括以下步骤：(1)将电池片于混合药液中进行两面清洗；(2)第一水洗槽清洗；(3)第二水洗槽清洗；(4)高温氮气干燥；(5)重新制绒、扩散制作PN结、刻蚀、镀膜、丝网、烧结、测试。本发明工艺简单高效，装置设计巧妙，电池片处理效果好，减少电池片表面的复合，有利于电池片效率的提升；整个工艺流程资源利用率高，药液和去离子水用量少，相比原有清洗工艺清洗效率提升0.09～0.12％，电池片A级成品率，大幅降低电池实际生产成本。
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公开(公告)号：CN109107974B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810805202.1
申请日：2018-07-20
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域。本发明公开了一种太阳能电池制备用石英器件的清洗方法，其包括，清洗槽酸洗、高温水洗槽水洗，常温水洗槽水洗和干燥等步骤，其中酸洗采用氢氟酸和臭氧水的混合药液进行酸洗，水洗时采用臭氧水进行水洗。本发明不仅适用于扩散工序石英器件也适用于镀膜工序石英器件清洗；本发明可以减少使用氢氟酸、盐酸和臭氧水使用量，大大降低整个清洗流程时间；本发明能够有效清洗干净石英器件，降低污染比例，能够提升效率。
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公开(公告)号：CN109148343A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810930847.8
申请日：2018-08-15
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L31/18 , C23C16/458
摘要： 本发明属于太阳能电池制备技术领域。本发明公开了一种太阳能电池硅片镀膜用石墨舟，其由石墨舟叶、陶瓷固定柱、石墨固定块和石墨螺母；石墨舟叶的上下边缘各设有一排固定孔，陶瓷固定柱通过固定孔将若干石墨舟叶固定在一起；石墨固定块设于石墨舟叶的两端，石墨螺母设于陶瓷固定柱和石墨固定块的两端；陶瓷固定柱上设有支撑圈支撑相邻石墨舟片。本发明不仅适用于常规单、多晶工艺，并且也适用于现在流行的单、多晶PERC电池以及黑硅电池工艺等；使用本发明专利技术可以大幅度降低崩点、碎片的发生；本发明专利技术简单、便于操作、不需要改造设备等易于操作、易于大规模实施。
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公开(公告)号：CN109065642A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810797853.0
申请日：2018-07-19
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/1868
摘要： 本发明公开了一种光伏多晶电池制备工艺方法，包括如下步骤：先将多晶硅片依次进行清洗制绒、扩散制结和湿法刻蚀操作；将湿法刻蚀后的多晶硅片放进热氧化设备中，进行制备，使多晶硅片表面形成氧化层膜；采用镀膜设备，在上一步骤中形成的氧化层膜基础上，沉积多层减反射薄膜；将从上一步骤中所得的多晶硅片，进行印刷电极和烧结处理，并制成光伏多晶电池片；将上一步骤中制成的光伏多晶电池片经过电注入设备处理；将经电注入处理后的光伏多晶电池片，进行电性能效率以及光衰数据测试。本发明具有能够提高光伏多晶电池转换效率的特点。
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公开(公告)号：CN109273558B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201810984023.9
申请日：2018-08-27
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，包括：1）选用P型多晶金刚线硅片，用有机碱溶液和水依次进行清洗，烘干；2）在硅片背面和四周镀上SiON：H膜；3）在硅片正面制作黑硅绒面；4）对硅片正面进行扩散，形成PN结；5）用酸溶液去除硅片正面的磷硅玻璃以及腐蚀硅片背面、四周的SiON：H膜，水洗、烘干；6）在黑硅绒面镀减反射薄膜；7）在硅片正面印刷正电极；8）在硅片背面印刷背电极，烧结。本发明方法制得的黑硅电池片的转换效率得到了有效的提升，适用于后续多晶电池片例如黑硅+PERC系列电池、黑硅+MWT系列电池等的技术升级。
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公开(公告)号：CN109273558A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810984023.9
申请日：2018-08-27
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224
摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种高转换效率的链式湿法黑硅电池片的制备方法，包括：1）选用P型多晶金刚线硅片，用有机碱溶液和水依次进行清洗，烘干；2）在硅片背面和四周镀上SiON：H膜；3）在硅片正面制作黑硅绒面；4）对硅片正面进行扩散，形成PN结；5）用酸溶液去除硅片正面的磷硅玻璃以及腐蚀硅片背面、四周的SiON：H膜，水洗、烘干；6）在黑硅绒面镀减反射薄膜；7）在硅片正面印刷正电极；8）在硅片背面印刷背电极，烧结。本发明方法制得的黑硅电池片的转换效率得到了有效的提升，适用于后续多晶电池片例如黑硅+PERC系列电池、黑硅+MWT系列电池等的技术升级。
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公开(公告)号：CN109119338A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810887869.0
申请日：2018-08-06
申请人： 横店集团东磁股份有限公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L31/18
摘要： 本发明提供一种易于与现有产线结合批量生产的工艺，加强对硅片背面抛光作用，并对现有电池效率有提升，不易破坏扩散后PN结、不易形成“刻蚀印”而影响电池外观，稳定性有较大的保障等，故本发明采用了链式“酸+碱+碱”模式背抛工艺。
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