盖帽组件及包括其的圆柱电池和用电设备

    公开(公告)号:CN118888938A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202410981415.5

    申请日:2024-07-22

    摘要: 本发明涉及圆柱电池的技术领域,具体公开了一种盖帽组件及包括其的圆柱电池和用电设备。盖帽组件包括防爆片、集流盘和陶瓷垫圈;集流盘具有焊接孔,防爆片与集流盘焊接并封堵焊接孔;陶瓷垫圈、防爆片和集流盘围成密闭的环形空隙,环形空隙内填充有阻燃剂。在本发明中,当圆柱电池因异常情况而产热、产气增加时,防爆片变形上翻并与集流盘断开电连接,形成断路,避免进一步失控,并在此过程露出焊接孔;环形空隙内的阻燃剂自焊接孔流入圆柱电池的壳体内部,并与电解液接触,提高电解液的闪点,降低圆柱电池起火爆炸的概率;另外,陶瓷垫圈起到支撑和绝缘的效果,其自身不易融化,使得结构稳固,避免防爆片与集流盘搭接形成通路,导致继续产热。

    一种P型背接触电池及其制备方法、光伏组件

    公开(公告)号:CN118841457A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202310456740.5

    申请日:2023-04-23

    摘要: 本发明公开了一种P型背接触电池及其制备方法、光伏组件,该P型背接触电池的制备方法包括:制备P型背接触电池的过程片;在第一表面侧和/或第二表面侧形成吸杂结构;吸杂结构包括层叠设置的第二隧穿层、第二多晶硅层和第二磷硅玻璃层;对形成吸杂结构后的过程片进行刻蚀,以去除吸杂结构和第二表面侧的第一磷硅玻璃层;在过程片的第一表面侧和第二表面侧分别形成钝化层。本发明的技术方案,通过在P型背接触电池的过程片的第一表面侧和第二表面侧形成吸杂结构,吸收过程片第一表面侧和第二表面侧的杂质,减少由杂质形成的复合中心,提高载流子的传输率,提高P型背接触电池的转换效率。

    一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN118825141A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202411298025.4

    申请日:2024-09-18

    IPC分类号: H01L31/18 H01L21/268

    摘要: 本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法。首先,本发明通过优化工艺步骤,在不构建掩膜层的情况下实现了单次沉积本征多晶硅层制备TBC太阳能电池,可进一步简化制备步骤,并有效提升产品的性能和良品率,并同时显著降低生产成本。其次,本发明通过巧妙的差异化激光处理工艺,可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池,不仅可减少p区和n区发生短路的概率,还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响。

    永磁体装置及制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118824673A

    公开(公告)日:2024-10-22

    申请号:CN202410930140.2

    申请日:2024-07-11

    发明人: 陈辉明 张宇萍

    IPC分类号: H01F7/02 H01F41/00

    摘要: 本发明属于永磁体制造技术领域,公开了一种永磁体装置及制造方法。该永磁体装置包括安装壳体、第二永磁体和两个第一永磁体,上述安装壳体具有封闭的容纳空间;两个上述第一永磁体在上述容纳空间对称设置,两个上述第一永磁体中的一个N极朝上设置,另一个N极朝下设置;上述第二永磁体设置于两个上述第一永磁体之间,上述第二永磁体靠近N极朝下的上述第一永磁体的一端为N极,上述第二永磁体靠近N极朝上的上述第一永磁体的一端为S极。该永磁体装置能够实现Halbach结构磁体的简便组装,可维护性得到加强,适合批量化生产,从而降低生产成本。

    一种TBC太阳能电池的制备方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118782688A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202411266731.0

    申请日:2024-09-11

    摘要: 本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种TBC太阳能电池的制备方法。本发明采用单层i‑poly‑Si层结合紫外激光氧化形成掩膜进行掺杂扩散得到TBC太阳能电池,全制备过程仅需一次i‑poly‑Si沉积及一次激光开槽,可避免多次i‑poly‑Si沉积引起的热应力分布不均匀导致产品性能和良品率降低等方面问题;同时一次激光开槽可减少对硅片的损伤,提升Voc;此外采用一次i‑poly‑Si沉积还可以大幅减少特气用量,降低生产成本。此外,本发明方法制得的TBC太阳能电池中,硅片背面的i‑poly‑Si层形成n+‑poly‑Si层高度基本一致,有助于后续电极层的制备,可进一步提高产品性能和良品率。