公开(公告)号：CN118738201A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310337546.5

申请日：2023-03-31

申请人： 横店集团东磁股份有限公司

发明人： 张强 ,  马岚岚 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/223 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及一种掺杂多晶硅层及其掺杂工艺和太阳能电池及其制备方法。所述掺杂工艺包括：进舟、抽真空升温、扩散推结以及降温出舟，其中，进舟包括将厚度小于150nm的非晶硅层置于扩散装置中；扩散推结包括：预氧化；在780℃‑800℃的T1温度下，通入400sccm‑600sccm的大氮、480sccm‑520sccm的氧气及830sccm‑870sccm的携带掺杂源的小氮进行一次沉积；在T2温度下，通入400sccm‑600sccm的大氮、380sccm‑420sccm的氧气及900sccm‑1000sccm的携带掺杂源的小氮进行二次沉积，T2＞T1且T2‑T1≤20℃；以3.5℃/min‑5.5℃/min将T2升温至885℃‑900℃后，通入900sccm‑1000sccm的氧气并保持恒温。本发明所述掺杂工艺实现了厚度小于150nm的非晶硅层的梯度浓度掺杂，不仅可以提高钝化接触效果，而且有利于提高隐开路电压、短路电流等方面性能，提升太阳能电池的转换效率。

公开(公告)号：CN118738185A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310338797.5

申请日：2023-03-31

申请人： 横店集团东磁股份有限公司

发明人： 朱响彬 ,  马岚岚 ,  杜清闪 ,  宋飞飞 ,  何悦 ,  任勇

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池包括衬底，在在衬底的一侧表面之上依次层叠设置的发射层、第一钝化层和减反射层，以及在衬底的另一侧表面之上依次层叠设置的钝化接触结构、第二钝化层和缓冲结构；其中，缓冲结构包括依次层叠的第一缓冲层、第二缓冲层以及第三缓冲层，第一缓冲层与第二钝化层接触，第一缓冲层材料的折射率大于第二缓冲层材料的折射率，第二缓冲层材料的折射率大于第三缓冲层材料的折射率。通过在钝化接触结构上设置的折射率依次降低的多层缓冲结构，可以有效降低膜间高折射率差引起的高消光系数，增加电池对光线的吸收，增强电池表面的化学钝化和场钝化，从而有效提高太阳电池少子寿命和转换效率。

公开(公告)号：CN115295674A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202210984863.1

申请日：2022-08-17

申请人： 横店集团东磁股份有限公司

发明人： 郑正明 ,  宋飞飞 ,  杜清闪 ,  马岚岚 ,  陈德爽 ,  任勇

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/265

摘要： 本发明涉及一种背接触太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：硅片基体依次经前处理、氧化处理、离子注入、清洗以及后处理，得到所述背接触太阳能电池；所述离子注入的剂量≤5×1015cm‑2。本发明通过引入氧化处理与离子注入工艺，可以有效改善隧穿氧化层的氧化电荷含量，从而提高隧穿氧化层的致密性与抗击穿性，提高钝化效果，显著降低背接触太阳能电池的漏电风险。

公开(公告)号：CN118841457A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202310456740.5

申请日：2023-04-23

申请人： 横店集团东磁股份有限公司

发明人： 陈伟康 ,  杜清闪 ,  马岚岚

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种P型背接触电池及其制备方法、光伏组件，该P型背接触电池的制备方法包括：制备P型背接触电池的过程片；在第一表面侧和/或第二表面侧形成吸杂结构；吸杂结构包括层叠设置的第二隧穿层、第二多晶硅层和第二磷硅玻璃层；对形成吸杂结构后的过程片进行刻蚀，以去除吸杂结构和第二表面侧的第一磷硅玻璃层；在过程片的第一表面侧和第二表面侧分别形成钝化层。本发明的技术方案，通过在P型背接触电池的过程片的第一表面侧和第二表面侧形成吸杂结构，吸收过程片第一表面侧和第二表面侧的杂质，减少由杂质形成的复合中心，提高载流子的传输率，提高P型背接触电池的转换效率。

公开(公告)号：CN118763138A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410842785.0

申请日：2024-06-26

申请人： 横店集团东磁股份有限公司

发明人： 陈伟康 ,  马岚岚 ,  任勇 ,  陈德爽

IPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/515 ,  C23C16/40

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括半导体基体，具有第一表面；隧穿层，设置在第一表面上；非晶硅层，设置在隧穿层的背离半导体基体的一侧表面上；微晶硅层，设置在非晶硅层背离隧穿层的一侧表面上。在隧穿层外生长非晶硅层，形成具有隧穿层‑非晶硅层‑微晶层结构的钝化结构。微晶硅层的晶粒结构比非晶硅更有序，可形成更均匀的钝化膜，提高钝化结构的钝化作用，使得太阳能电池中的钝化结构能够满足场钝化的需求。另一方面非晶硅层与微晶层形成一个整体的晶硅结构，由于该结构更加均匀和致密，晶体内部具有较少的裂缝和孔隙，在生长过程中较难困住气体和形成气泡，有效规避钝化结构的起泡风险。