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公开(公告)号：CN118645416A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410690358.5
申请日：2024-05-30
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/305
摘要： 本发明所要解决的技术问题是提供一种半自动多任务离子束刻蚀材料夹具，该半自动多任务离子束刻蚀材料夹具可以实现一次夹持多个刻蚀样品，有效的减少了因频繁更换样品而浪费的时间，有效降低了未被刻蚀加工的样品被污染的风险，有效提高了实验效率和准确率。该夹具包括刻蚀筒体，刻蚀筒体的上端可拆卸的设置有顶板，刻蚀筒体的下端设置有底板，刻蚀筒体内通过转动结构设置有支撑座；支撑座上设置有多个用于放置样品的夹持座；顶板上设置有刻蚀孔，通过支撑座上设置的多个夹持座夹持多个样品，通过转动结构带动支撑座定期转动一定的角度进行顺序刻蚀加工；顶板上只设置有一个刻蚀孔，避免了未被刻蚀加工的样品被污染。
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公开(公告)号：CN114051307A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111210118.3
申请日：2021-10-18
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明属于等离子体技术，具体涉及一种磁约束射频感应耦合等离子体源，包括射频放电腔、射频天线、高压绝缘气路，以及与射频天线连接的磁场电源和射频电源；射频天线的射频馈入端与射频电源连接，同时与磁场电源的一个输出端口连接；射频天线的接地端接地，同时与磁场电源的另一个输出端口连接；射频放电腔的下端开口，上端封闭。本装置产生射频感应耦合等离子体放电的电磁场，并且约束等离子体的静磁场，简化传统磁约束射频感应耦合等离子体源的分立式射频天线和磁场线圈结构，缩小了等离子体源的射频天线、磁场线圈与放电腔之间的距离，从而增强了射频天线产生的电磁场和约束静磁场对放电等离子体的作用效果。
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公开(公告)号：CN214922819U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202121165105.4
申请日：2021-05-27
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都理工大学工程技术学院
摘要： 本申请公开了一种便于拆装的石英玻璃离子束抛光旋转夹具，包括夹具固定槽、支撑板、固定壳、夹持结构、支撑结构和移动结构，所述夹具固定槽的内部开设有滑槽，所述夹具固定槽的滑槽处安装设置有夹持结构，所述夹具固定槽的侧边处安装设置有支撑结构，所述固定壳的上表面处转动连接有支撑板。本申请通过夹持结构可以在一定的范围内对不同大小的石英玻璃块进行夹持固定，使用灵活，同时即可对矩形石英玻璃进行夹持也可以对圆形石英玻璃进行夹持，使用效果更好，便于对石英玻璃进行固定拆装，本申请具有支撑结构，通过支撑结构可以较为灵活的调整夹持的石英玻璃的高度，通过支撑结构的调整可以对石英玻璃的固定角度进行调整。
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公开(公告)号：CN117542718A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311487217.5
申请日：2023-11-09
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种用于等离子刻蚀的中性粒子束产生装置，包括放电仓和中性粒子束产生机构，放电仓外设有射频天线，射频天线连有脉冲射频电源，以使放电仓内形成等离子体；中性粒子束产生机构包括气路电极、引出产生栅极及偏压电源组，气路电极和引出产生栅极通过偏压电源组连接，并分别设于放电仓相对的两侧，以对等离子体中的负离子加速，使负离子通过引出产生栅极射出形成中性粒子束；引出产生栅极能够对负离子进行减速及中性化处理。其能够解决等离子刻蚀时会使基片表面产生损伤或缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN114302546B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： H05H1/24
摘要： 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN114346767B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111496449.8
申请日：2021-12-09
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： B24B1/00 , H01J37/305 , H01J37/08
摘要： 本发明属于离子束加工技术领域，具体涉及一种高效率低损伤缺陷表面的离子束抛光设备和方法。设备包括离子束抛光设备腔室、离子源系统，工件安装在离子束抛光设备腔室；离子源系统与射频电源、偏压电源和引出电源连接；方法选用熔石英作为工件固定后，工件被加工面法向与离子束入射方向平行，封闭设备腔室并抽真空，通入工作气体，并将其激发电离，产生高密度等离子体，同时启动偏压电源和引出电压，利用交替引出的正、负离子构成的多组分离子束轰击工件表面。利用线性射频离子源，通过多维运动工件架使工件相对于离子源做扫描运动，实现大尺寸元件均匀一致抛光，提高离子束抛光控制精度，提升加工速率。
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公开(公告)号：CN116180187A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211411580.4
申请日：2022-11-11
申请人： 核工业西南物理研究院 , 中广核研究院有限公司
IPC分类号： C25D11/26
摘要： 本发明公开了一种微弧氧化电解液和反应堆锆合金表面涂层的制备方法，微弧氧化电解液包括溶剂和电解质，其中：溶剂的电导率为0～5μs/cm；电解质包括氢氧化锂和/或硼酸锂，氢氧化锂的浓度为3～10g/L，硼酸锂的浓度为3～10g/L；一种反应堆锆合金表面涂层的制备方法，包括：对反应堆锆合金表面进行预处理，使得反应堆锆合金表面的粗糙度Ra
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公开(公告)号：CN114288962A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111496907.8
申请日：2021-12-09
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： B01J19/08
摘要： 本发明属于热等离子体应用技术领域，具体涉及一种热等离子体合成纳米氮化物粉体的装置及方法，该装置包括氮化物坩埚、金属物料投入口、氮化物蒸汽出口和直流电弧热等离子体炬，氮化物坩埚顶部设有金属物料投入口和氮化物蒸汽出口，氮化物坩埚的内腔与金属物料投入口和氮化物蒸汽出口连通，除金属物料投入口和氮化物蒸汽出口，氮化物坩埚的顶部为封闭式；氮化物坩埚的外周均匀设置有若干个直流电弧等离子体炬。本发明有效克服了现有氮化物粉体材料制备工艺的技术瓶颈，通过本发明方法合成的纳米氮化物粉体的平均粒度在200nm以下，形貌为球形或线形，具有合成效率高及生产成本低等特点。
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公开(公告)号：CN117684140A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311713739.2
申请日：2023-12-13
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种多元纳米复合涂层制备设备，涉及低温等离子体技术领域，包括真空室；所述真空室内带有旋转工件架，所述真空室底部带有用于带动所述旋转工件架旋转的旋转电机；所述真空室顶部带有真空室盖，沿所述真空室盖的环向，所述真空室盖上带有若干磁控溅射靶和若干射频等离子体源，所述磁控溅射靶伸入所述真空室内，并向所述旋转工件架上的样品溅射金属粒子；所述射频等离子体源用于向所述旋转工件架上的样品发射活性粒子。采用本方案，可选择性的采用一个或若干个磁控溅射靶提供高纯金属粒子和等离子体源产生的高活性粒子，实现工件涂层沉积和清洗、反应沉积，实现多元不同组分复合涂层或多层梯度涂层制备，避免了高成本复合靶研制成本。
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公开(公告)号：CN116352096A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310291834.1
申请日：2023-03-23
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉热等离子体应用技术领域，具体公开了一种制备难熔金属球形粉末的等离子体雾化及球化装置，包括：直流电弧等离子体炬，用于产生等离子体射流，所述等离子体射流用于使丝材雾化或使粉末球化制备球形粉末；送料导向管，用于输送丝材或粉末，使丝材或粉末送入等离子体射流中，炬固定座，用于可拆卸式固定直流电弧等离子体炬和送料导向管。本发明采用直流电弧等离子体炬射流作为热源对丝材或粉末进行雾化和球化处理制备成球形粉末，满足金属丝材雾化及粉末球化制备球形粉末的不同应用工况对等离子体射流性能的要求，且运行成本较低、可控性好。
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