- 专利标题: 一种高效率低损伤缺陷表面离子束抛光设备和抛光方法
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申请号: CN202111496449.8申请日: 2021-12-09
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公开(公告)号: CN114346767B公开(公告)日: 2023-06-13
- 发明人: 聂军伟 , 陈庆川 , 杨发展 , 郑才国 , 刘克威
- 申请人: 核工业西南物理研究院
- 申请人地址: 四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号
- 专利权人: 核工业西南物理研究院
- 当前专利权人: 核工业西南物理研究院
- 当前专利权人地址: 四川省成都市双流西南航空港黄荆路5号
- 代理机构: 核工业专利中心
- 代理商 高安娜
- 主分类号: B24B1/00
- IPC分类号: B24B1/00 ; H01J37/305 ; H01J37/08
摘要:
本发明属于离子束加工技术领域,具体涉及一种高效率低损伤缺陷表面的离子束抛光设备和方法。设备包括离子束抛光设备腔室、离子源系统,工件安装在离子束抛光设备腔室;离子源系统与射频电源、偏压电源和引出电源连接;方法选用熔石英作为工件固定后,工件被加工面法向与离子束入射方向平行,封闭设备腔室并抽真空,通入工作气体,并将其激发电离,产生高密度等离子体,同时启动偏压电源和引出电压,利用交替引出的正、负离子构成的多组分离子束轰击工件表面。利用线性射频离子源,通过多维运动工件架使工件相对于离子源做扫描运动,实现大尺寸元件均匀一致抛光,提高离子束抛光控制精度,提升加工速率。
公开/授权文献
- CN114346767A 一种高效率低损伤缺陷表面离子束抛光设备和抛光方法 公开/授权日:2022-04-15