-
公开(公告)号：CN116180187A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211411580.4
申请日：2022-11-11
申请人： 核工业西南物理研究院 , 中广核研究院有限公司
IPC分类号： C25D11/26
摘要： 本发明公开了一种微弧氧化电解液和反应堆锆合金表面涂层的制备方法，微弧氧化电解液包括溶剂和电解质，其中：溶剂的电导率为0～5μs/cm；电解质包括氢氧化锂和/或硼酸锂，氢氧化锂的浓度为3～10g/L，硼酸锂的浓度为3～10g/L；一种反应堆锆合金表面涂层的制备方法，包括：对反应堆锆合金表面进行预处理，使得反应堆锆合金表面的粗糙度Ra
-
公开(公告)号：CN118241169A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211667228.7
申请日：2022-12-23
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明涉及低温等离子体技术和薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种等离子体射流触发脉冲阴极弧源，包括：水冷阴极靶、磁流体、齿轮减速器、冷却水进出嘴、阴极靶电机、运动模组电机、磁场线圈、屏蔽壳、运动机械模组和等离子体电弧射流炬；本发明可以在高沉积速率条件下制备大面积高致密涂层，本发明装置利用脉冲等离子体产生炬产生的脉冲射流为阴极电弧靶点火，并结合阴极弧靶上脉冲电压和功率调节，控制阴极弧能量，来抑制电弧等离子体中含有的大颗粒缺陷，同时利用阴极弧靶和脉冲等离子体炬移动或转动，来实现阴极靶的均匀烧蚀和高均匀性膜层镀制。
-
公开(公告)号：CN118147681A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410263448.6
申请日：2024-03-08
申请人： 核工业西南物理研究院
IPC分类号： C25B11/061 , C25B11/077 , C25B1/04
摘要： 本申请提供了一种电解制氢高性能催化OER阳极及其制备方法和应用，电解制氢高性能催化OER阳极包括导电基体，所述导电基体上通过等离子体镀膜方式沉积有OER催化材料；所述OER催化材料形成的涂层的厚度大于0.1微米。催化涂层材料具有大于1MPa和大于0.1微米，且几何位形和电子结构可控，催化活性和催化效率进一步提升；另外本发明催化阳极将OER催化材料采用沉积于多孔导电基体材料表面，具有增大有效电解面积、提高制氢效率、增加电流密度等显著效果；最为关键的是可进行大尺寸制备，且能够实现在大规模工业制氢系统中的长周期稳定运行。本发明公开的OER阳极可应用于碱性水电解制氢且作为阳极。
-
公开(公告)号：CN118042696A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410144101.X
申请日：2024-02-01
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种长寿命大功率强流束源，包括辅助启辉射频放电腔，辅助启辉射频放电腔的上端设置有等离子体放电腔，辅助启辉射频放电腔的下端连有气路，辅助启辉射频放电腔的外部缠绕有辅助启辉射频天线；等离子体放电腔靠近辅助启辉射频放电腔侧的下端外缠绕有辅助启辉端磁场线圈，等离子体放电腔靠近出口侧的上端外缠绕有出口端磁场线圈组，等离子体放电腔的中部外环绕设置有高磁导率磁芯，高磁导率磁芯上缠绕有射频放电耦合线圈。本发明的等离子体束源，基于磁增强高效射频感应耦合技术产生平行于放电腔轴向的强电场，加速电子实现高电离率等离子体放电，具有结构紧凑，价格低廉、拆装方便、易维护、长寿命等特点。
-
公开(公告)号：CN117686110A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311716843.7
申请日：2023-12-13
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明公开了一种恒温模块、微型传感器及制备方法，涉及传感器技术领域，其技术方案要点是：基底；测温部，设置在基底正面，及加热部，设置在基底背面；其中，测温部分布在基底正面的边缘处，加热部均匀分布在基底背面。本发明在恒温模块部分，提供了一种双面排线的布线方式，即设置在基底正面与背面的测温部和加热部，该方式避免了加热部中的电流对周围测温部以及传感电阻信号的干扰，提高了恒温测试数据的准确性，其次，均匀排布在基底背面的加热部产生的热量不仅能够最快的传导至整个基底，还能同时保证整个基底温度的均匀性，进而提高集成有恒温模块的微型传感器的灵敏度和测量精度。
-
公开(公告)号：CN116321650A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211673943.1
申请日：2022-12-26
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 本发明属于低温等离子体薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种网孔式多栅离子束引出装置，包括：网格栅、屏栅、加速栅、地栅、绝缘子A、绝缘子B、加速栅电源和屏栅电源；所述网格栅固定于屏栅的一侧面，加速栅通过绝缘子A固定于屏栅的另一侧面；所述加速栅未设置绝缘子A的端面上设置有绝缘子B，所述绝缘子B上安装有地栅；加速栅电源的正极接地，加速栅电源的负极与加速栅连接；屏栅电源的正极接地，屏栅电源的负极与屏栅连接。本发明通过控制与等离子体接触的网栅结构，控制离子束发射面，实现高导流率、低发散角的低能离子束产生。
-
公开(公告)号：CN114731798A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210438605.3
申请日：2022-04-25
申请人： 核工业西南物理研究院
摘要： 为解决现有技术依靠增施外源硒提高水稻中的硒含量存在的硒元素含量增加困难的技术问题，本发明实施例提供一种增加水稻中硒含量的方法和培育方法。增加水稻中硒含量的方法，包括：将金属材料作为离子注入MEVVA源的阴极材料，采用离子注入方式对稻种进行离子注入辐照处理。培育方法包括：稻种消毒；采用所述方法对消毒后的稻种的胚芽进行离子注入辐照处理；将离子注入辐照处理后的稻种置于水中浸泡；对浸泡后的稻种进行催芽处理；将催芽处理后的稻种播种培育。本发明实施例通过采用离子注入方式增强了水稻的硒含量，从而，解决了现有技术依靠增施外源硒提高水稻中的硒含量存在的硒元素含量增加困难的技术问题。
-
公开(公告)号：CN111893453B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010714625.X
申请日：2020-07-21
申请人： 四川大学 , 华中科技大学 , 核工业西南物理研究院
IPC分类号： C23C14/58 , C23C14/48 , C23C14/35 , C23C14/18 , B23K26/362
摘要： 本发明提出了一种在尖锥形陶瓷腔体内壁制备微细金属涂层图案的方法，涉及超材料隐身技术领域。本发明提供的在尖锥形陶瓷腔体内壁制备金属涂层微细金属涂层图案的方法，包括如下步骤，激光从尖锥形陶瓷腔体外部穿透尖锥形陶瓷腔体，对尖锥形陶瓷腔体的内壁上的金属涂层进行激光反向刻蚀，通过选择性扫描在尖锥形陶瓷腔体内壁获得微细金属涂层图案，所述尖锥形陶瓷腔体的壁的厚度为3‑15mm。本发明的优点在于，突破传统方法的加工技术壁垒，首次提出利用激光反向刻蚀尖锥形陶瓷腔体内壁的金属涂层，解决了尖锥形陶瓷腔体内壁难构筑微细金属涂层图案的技术难题，便于进一步制备FSS超材料，为尖锥形陶瓷腔雷达罩隐身提供技术基础。
-
公开(公告)号：CN108611590B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201611145210.5
申请日：2016-12-13
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面新技术工程中心
摘要： 本发明属于低温等离子体材料表面处理技术领域，具体涉及一种Ti合金工件防咬死的方法。本方法包括九个步骤，本方法实现Ti合金工件烘烤除气、离子束溅射清洗和原位离子束辅助磁控溅射沉积Ti‑TiN周期复合涂层的制备工艺，以得到均匀致密、结合性能良好的Ti‑TiN周期复合涂层。提高工件耐磨、抗疲劳和微动磨损等性能，达到防咬死和耐磨的要求。在Ti合金紧固件内螺纹表面制备的Ti‑TiN周期复合涂层，纯度高、膜基结合性能好、膜层均匀致密、界面处无孔隙，处理后的Ti合金紧固件达到耐磨、防咬死、抗微动磨损等要求，防咬死性能较未处理工件至少提高了2倍，满足某型号装备使用要求，大大降低了成本，提高了装备的整体使用稳定性和使用寿命。
-
公开(公告)号：CN109972096A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452203.4
申请日：2017-12-28
申请人： 核工业西南物理研究院 , 成都同创材料表面科技有限公司 , 成都虹波实业股份有限公司
摘要： 本发明属于粉末材料制备技术领域，一种在料舟表面沉积金属涂层的方法，首先去除料舟舟体表面毛刺，之后对料舟及镀膜工装进行清洗，最后进行涂层沉积，采用在与氧化物粉末接触的料舟材料表面沉积微米厚度的目标金属涂层，该涂层可保持良好的界面结合力，且覆盖完整，并能隔绝粉末还原时原料粉末长时间直接接触料舟，导致金属粉末在还原过程中受到杂质污染。该发明可解决同质金属粉末材料料舟不能承受推舟时推力，以及铺垫同介质金属片易内裂等弊端。在保证金属粉末的高纯度品质前提下，可实现高产能效率、低成本和连续生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
64 条记录 (耗时 0.057 秒)
