公开(公告)号：CN113875015B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202080037000.2

申请日：2020-03-05

Applicant: 株式会社POWDEC

Inventor： 河合弘治 ,  八木修一 ,  齐藤武尊 ,  中村文彦 ,  成井启修

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/01 ,  H10D30/87 ,  H10D8/00 ,  H10D8/01 ,  H10D8/50

Abstract: 二极管由双栅PSJ‑GaN系FET构成。该FET具有GaN层11、AlxGa1‑xN层12、未掺杂的GaN层13和p型GaN层14。在AlxGa1‑xN层12上设置有源电极19和漏电极20，在p型GaN层14上设置有第一栅电极15，在设于槽16内部的栅极绝缘膜17上设置有第二栅电极18，所述槽16设置在源电极19和未掺杂的GaN层13之间的部分处的AlxGa1‑xN层12中。源电极19、第一栅电极15和第二栅电极18彼此连接，或者源电极19和第二栅电极18彼此连接、并且第一栅电极15被施加相对于源电极19和第二栅电极18而言为正的电压。

公开(公告)号：CN113875015A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202080037000.2

申请日：2020-03-05

Applicant: 株式会社POWDEC

Inventor： 河合弘治 ,  八木修一 ,  齐藤武尊 ,  中村文彦 ,  成井启修

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L21/329 ,  H01L29/868 ,  H01L29/861

Abstract: 二极管由双栅PSJ‑GaN系FET构成。该FET具有GaN层11、AlxGa1‑xN层12、未掺杂的GaN层13和p型GaN层14。在AlxGa1‑xN层12上设置有源电极19和漏电极20，在p型GaN层14上设置有第一栅电极15，在设于槽16内部的栅极绝缘膜17上设置有第二栅电极18，所述槽16设置在源电极19和未掺杂的GaN层13之间的部分处的AlxGa1‑xN层12中。源电极19、第一栅电极15和第二栅电极18彼此连接，或者源电极19和第二栅电极18彼此连接、并且第一栅电极15被施加相对于源电极19和第二栅电极18而言为正的电压。