公开(公告)号：CN111836867A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201980018134.7

申请日：2019-06-17

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 张美 ,  金塞拉 ,  韩智浩 ,  李光珠 ,  延博拉 ,  徐光洙

IPC: C09J183/06 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明提供了粘合剂组合物，所述粘合剂组合物表现出优异的粘合力，并且在剥离步骤期间可以通过光固化容易地分离，其中即使在高温过程之后也不会产生起泡和举离。

公开(公告)号：CN111433306A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201980006221.0

申请日：2019-06-04

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 尹美善 ,  金色拉 ,  李光珠 ,  延博拉 ,  金相还 ,  金殷英

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/29 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开内容涉及背面研磨带，包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为-30℃至0℃。本公开内容还涉及使用背面研磨带研磨晶片的方法。

公开(公告)号：CN111406099A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201980006006.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 尹美善 ,  金色拉 ,  李光珠 ,  延博拉 ,  朴成灿 ,  金殷英

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J133/10 ,  C09J7/22 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及背面研磨带和使用该背面研磨带研磨晶片的方法，所述背面研磨带包括聚合物基底和粘合层，其中所述粘合层包含含有30重量％至60重量％的衍生自玻璃化转变温度为0℃或更高的单体或低聚物的重复单元的(甲基)丙烯酸酯树脂，以及其中所述粘合层的玻璃化转变温度为-20℃至10℃。

公开(公告)号：CN111836867B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN201980018134.7

申请日：2019-06-17

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 张美 ,  金塞拉 ,  韩智浩 ,  李光珠 ,  延博拉 ,  徐光洙

IPC: C09J183/06 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明提供了粘合剂组合物，所述粘合剂组合物表现出优异的粘合力，并且在剥离步骤期间可以通过光固化容易地分离，其中即使在高温过程之后也不会产生起泡和举离。

公开(公告)号：CN111433306B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201980006221.0

申请日：2019-06-04

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 尹美善 ,  金色拉 ,  李光珠 ,  延博拉 ,  金相还 ,  金殷英

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/29 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开内容涉及背面研磨带，包括含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂的聚合物树脂层，所述氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯树脂包含10重量％至40重量％的源自玻璃化转变温度为0℃或更高的(甲基)丙烯酸酯单体或低聚物的重复单元，其中聚合物树脂层的玻璃化转变温度为‑30℃至0℃。本公开内容还涉及使用背面研磨带研磨晶片的方法。

公开(公告)号：CN112673071A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202080004772.6

申请日：2020-06-12

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金殷英 ,  庆有真 ,  李光珠 ,  韩智浩 ,  延博拉 ,  张美

IPC: C09J163/00 ,  C09J133/04 ,  C09J175/04 ,  C09J11/04 ,  C09J7/30 ,  C09J7/25 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及非导电膜和使用所述非导电膜制造半导体层合体的方法，所述非导电膜包括：粘合剂层，所述粘合剂层包含低分子量环氧树脂；和胶粘层，所述胶粘层包含预定组合物。

公开(公告)号：CN112673071B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202080004772.6

申请日：2020-06-12

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金殷英 ,  庆有真 ,  李光珠 ,  韩智浩 ,  延博拉 ,  张美

IPC: C09J163/00 ,  C09J133/04 ,  C09J175/04 ,  C09J11/04 ,  C09J7/30 ,  C09J7/25 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开涉及非导电膜和使用所述非导电膜制造半导体层合体的方法，所述非导电膜包括：粘合剂层，所述粘合剂层包含低分子量环氧树脂；和胶粘层，所述胶粘层包含预定组合物。

公开(公告)号：CN111406099B9

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201980006006.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 尹美善 ,  金色拉 ,  李光珠 ,  延博拉 ,  朴成灿 ,  金殷英

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J133/10 ,  C09J7/22 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及背面研磨带和使用该背面研磨带研磨晶片的方法，所述背面研磨带包括聚合物基底和粘合层，其中所述粘合层包含含有30重量％至60重量％的衍生自玻璃化转变温度为0℃或更高的单体或低聚物的重复单元的(甲基)丙烯酸酯树脂，以及其中所述粘合层的玻璃化转变温度为-20℃至10℃。

公开(公告)号：CN111406099B

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN201980006006.0

申请日：2019-01-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 尹美善 ,  金色拉 ,  李光珠 ,  延博拉 ,  朴成灿 ,  金殷英

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J133/10 ,  C09J7/22 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及背面研磨带和使用该背面研磨带研磨晶片的方法，所述背面研磨带包括聚合物基底和粘合层，其中所述粘合层包含含有30重量％至60重量％的衍生自玻璃化转变温度为0℃或更高的单体或低聚物的重复单元的(甲基)丙烯酸酯树脂，以及其中所述粘合层的玻璃化转变温度为‑20℃至10℃。