公开(公告)号：CN116210072A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202180053507.1

申请日：2021-08-23

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 青木雄太郎 ,  木村将之 ,  山下敦史

IPC: H01L21/302

Abstract: 蚀刻方法，是通过原子层蚀刻法对含有基体和在其表面形成的金属氧化膜的层叠体中的该金属氧化膜进行蚀刻的方法，其具有：在收容了该层叠体的处理气氛内导入选自醇化合物、醛化合物及酯化合物中的至少一种的被氧化性化合物的第1工序；和在该第1工序后在该处理气氛内导入氧化性气体的第2工序。

公开(公告)号：CN115819449A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211124085.5

申请日：2022-09-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 柳承旻 ,  金润洙 ,  金在员 ,  原野一树 ,  斋藤和也 ,  小出幸宜 ,  青木雄太郎 ,  朴圭熙 ,  曹仑廷 ,  布施若菜 ,  真锅芳树 ,  内生蔵广幸 ,  木村将之 ,  吉井崇洋

IPC: C07F9/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种有机金属加合化合物和一种制造集成电路装置的方法，所述有机金属加合化合物由通式(I)表示：

公开(公告)号：CN111362979A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201910983502.3

申请日：2019-10-16

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴圭熙 ,  小出幸宜 ,  真锅芳树 ,  木村将之 ,  斋藤昭夫 ,  林载顺 ,  曹仑廷

IPC: C07F5/06 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了铝化合物以及使用该铝化合物制造半导体器件的方法。所述铝化合物可以由式1表示。[式1]