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公开(公告)号：CN113260726A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980087237.9
申请日：2019-11-28
Applicant: 株式会社豊山
Abstract: 本公开涉及一种具有优良弯曲加工性、强度和弹性极限的端子和连接器用铜合金及其制备方法。具体地，本公开涉及一种铜合金，包括铜(Cu)、锌(Zn)、镍(Ni)和铝(Al)。与作为端子和连接器材料的现有黄铜材料相比，本公开所述铜合金具有优异的强度、弯曲加工性和弹性极限，且与磷青铜材料相比，可以以极低的成本制备。
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公开(公告)号：CN113260726B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201980087237.9
申请日：2019-11-28
Applicant: 株式会社豊山
Abstract: 本公开涉及一种具有优良弯曲加工性、强度和弹性极限的端子和连接器用铜合金及其制备方法。具体地，本公开涉及一种铜合金，包括铜(Cu)、锌(Zn)、镍(Ni)和铝(Al)。与作为端子和连接器材料的现有黄铜材料相比，本公开所述铜合金具有优异的强度、弯曲加工性和弹性极限，且与磷青铜材料相比，可以以极低的成本制备。
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公开(公告)号：CN112055756B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080000801.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 株式会社豊山
Abstract: 公开了具有强度、导电性和优异的弯曲成形性的铜‑钴‑硅‑铁‑磷(Cu‑Co‑Si‑Fe‑P)基合金及其生产方法。所述铜合金含有1.2至2.5质量％的钴(Co)；0.2至1.0质量％的硅(Si)；0.01至0.5质量％的铁(Fe)；0.001至0.2质量％的磷(P)；余量的铜(Cu)；不可避免的杂质；和任选地，0.05质量％以下的选自由镍(Ni)、锰(Mn)和镁(Mg)组成的组中的至少一种，其中钴(Co)质量与硅(Si)质量之比满足关系：3.5≤Co/Si≤4.5，其中铁(Fe)质量与磷(P)质量之比满足关系：1.0＜Fe/P。双峰结构提高了弯曲成形性，同时保持了电导率和强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112055756A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202080000801.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 株式会社豊山
Abstract: 公开了具有强度、导电性和优异的弯曲成形性的铜‑钴‑硅‑铁‑磷(Cu‑Co‑Si‑Fe‑P)基合金及其生产方法。所述铜合金含有1.2至2.5质量％的钴(Co)；0.2至1.0质量％的硅(Si)；0.01至0.5质量％的铁(Fe)；0.001至0.2质量％的磷(P)；余量的铜(Cu)；不可避免的杂质；和任选地，0.05质量％以下的选自由镍(Ni)、锰(Mn)和镁(Mg)组成的组中的至少一种，其中钴(Co)质量与硅(Si)质量之比满足关系：3.5≤Co/Si≤4.5，其中铁(Fe)质量与磷(P)质量之比满足关系：1.0＜Fe/P。双峰结构提高了弯曲成形性，同时保持了电导率和强度。
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公开(公告)号：CN109996898A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201880003539.9
申请日：2018-08-17
Applicant: 株式会社豊山
Abstract: 本发明公开了一种具有高强度和高电导率的用于电气和电子部件及半导体的铜合金及其制备方法。所述铜合金包括0.09至0.20重量％的铁(Fe)、0.05至0.09重量％的磷(P)、0.05至0.20重量％的锰(Mn)、剩余量的铜(Cu)和0.05重量％或更少的不可避免的杂质，并具有470MPa或更大的拉伸强度、145Hv或更大的硬度、75％IACS或更大的电导率和400℃或更高的抗软化温度。
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