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公开(公告)号：CN109690765B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201780055573.6
申请日：2017-09-07
Abstract: 半导体装置(1)具备：半导体元件(2)；支承体(3)，是在最表面(35)具有金属化层(34)的金属部件，且配置为所述最表面与所述半导体元件相对置，所述金属化层(34)含有铁族元素即第一成分和铬以外的周期表第5族或第6族过渡金属元素即第二成分；接合件(4)，配置在所述支承体的所述最表面与所述半导体元件之间，并设置为通过与所述最表面接合而将所述半导体元件固定于所述支承体；模塑树脂(6)，设置为将所述支承体和所述接合件和所述半导体元件的接合体(S)覆盖。
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公开(公告)号：CN109690765A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780055573.6
申请日：2017-09-07
Abstract: 半导体装置(1)具备：半导体元件(2)；支承体(3)，是在最表面(35)具有金属化层(34)的金属部件，且配置为所述最表面与所述半导体元件相对置，所述金属化层(34)含有铁族元素即第一成分和铬以外的周期表第5族或第6族过渡金属元素即第二成分；接合件(4)，配置在所述支承体的所述最表面与所述半导体元件之间，并设置为通过与所述最表面接合而将所述半导体元件固定于所述支承体；模塑树脂(6)，设置为将所述支承体和所述接合件和所述半导体元件的接合体(S)覆盖。
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公开(公告)号：CN118547270A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410561347.7
申请日：2019-11-29
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/44
Abstract: 本发明涉及化学镀浴，公开了一种使用无卤素的化学镀浴的微小垫的制备方法，本发明的无卤素的化学镀浴即使在镀浴中不含有氯化物等卤化物也具有镀膜性优异的特性。本发明的微小垫的制备方法为200μm×200μm以下的微小垫的制备方法，微小垫在基体侧上依次构成基底金属层、Pt层或Pd层，Pt层或Pd层使用含有水溶性铂化合物或水溶性钯化合物、和还原剂的化学镀浴而形成，水溶性铂化合物为四氨合铂(II)络盐，但是，除去所述四氨合铂(II)络盐的卤化物，水溶性钯化合物为四氨合钯(II)络盐，但是，除去所述四氨合钯(II)络盐的卤化物和硫酸四氨钯(II)，还原剂为甲酸或其盐，化学镀浴作为添加剂不含有卤化物。
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公开(公告)号：CN103774127B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201410049533.9
申请日：2006-09-22
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/44
CPC classification number: C23C18/44 , C23C18/1651 , C23C18/54 , H01L24/43 , H01L24/745 , H01L2224/45664
Abstract: 本发明公开了包含钯化合物、至少一种选自氨和胺化合物的络合剂、至少一种选自次膦酸和亚膦酸盐的还原剂、和至少一种选自不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐和不饱和羧酸衍生物的不饱和羧酸化合物的无电镀钯浴。这种无电镀钯浴具有高的浴稳定性，并且几乎不会发生浴分解。因此，本发明的无电镀钯浴比传统的无电镀钯浴具有较长的浴寿命。此外，这种无电镀钯浴能够获得优异焊接结合性能和引线接合性能，因为即使当它使用了很长时间，它也不影响镀层的性能。
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公开(公告)号：CN101275224B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710305957.7
申请日：2007-12-28
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/42
Abstract: 是在将含有氰化金盐、络合剂、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物的无电解镀金浴保持在70-90℃的状态下稳定地维持控制上述无电解镀金浴的镀敷能力的方法，是将碱性氰化物、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第1补充成分定期地补充，还对由于镀敷处理消耗了金的镀浴，只补充氰化金盐、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第2补充成分的无电解镀金浴的镀敷能力维持控制方法。采用本发明的方法，不引起由于镍表面进行晶界侵蚀导致的外观不良，可长期、稳定地维持控制形成良好的被膜外观的镀金被膜的无电解镀金浴的镀敷能力，还可长期、稳定地维持控制由于镀敷处理消耗氰化金盐的无电解镀金浴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115404469A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210555723.2
申请日：2022-05-19
Applicant: 上村工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种新的化学镀镀膜以及适合该化学镀镀膜的化学镀镀液。本发明提供的化学镀Co‑W镀膜中的W含量为35～58质量％，且所述化学镀Co‑W镀膜的膜厚为0.05μm以上。本发明的化学镀镀膜能够防止熔融焊料扩散到构成导体的金属材料中。
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公开(公告)号：CN101319319A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200710307630.3
申请日：2007-12-06
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/42
Abstract: 一种含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛焦亚硫酸盐加合物、和一种由R1－NH－C2H4－NH－R2或R3－(CH2－NH－C2H4－NH－CH2)n－R4所表征的胺类化合物的无电镀金浴(其中R1至R4代表－OH、－CH3、－CH2OH、－C2H4OH、－CH2N(CH3)2、－CH2NH(CH2OH)、－CH2NH(C2H4OH)、－C2H4NH(CH2OH)、－C2H4NH(C2H4OH)、－CH2N(CH2OH)2、－CH2N(C2H4OH)2、－C2H4N(CH2OH)2或者－C2H4N(C2H4OH)2，且n是一个1到4的整数)。可形成外观良好的金镀层，而不会由于镍表面晶间腐蚀的进行而导致外观不良。
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公开(公告)号：CN101275224A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710305957.7
申请日：2007-12-28
Applicant: 上村工业株式会社
IPC: C23C18/42
Abstract: 是在将含有氰化金盐、络合剂、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物的无电解镀金浴保持在70－90℃的状态下稳定地维持控制上述无电解镀金浴的镀敷能力的方法，是将碱性氰化物、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第1补充成分定期地补充，还对由于镀敷处理消耗了金的镀浴，只补充氰化金盐、甲醛合酸式亚硫酸盐加成物及胺化合物作为第2补充成分的无电解镀金浴的镀敷能力维持控制方法。采用本发明的方法，不引起由于镍表面进行晶界侵蚀导致的外观不良，可长期、稳定地维持控制形成良好的被膜外观的镀金被膜的无电解镀金浴的镀敷能力，还可长期、稳定地维持控制由于镀敷处理消耗氰化金盐的无电解镀金浴。
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公开(公告)号：CN118854425A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410421678.0
申请日：2024-04-09
Applicant: 上村工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种电解镀铜液的再生处理方法，其使电解镀铜液中的有机杂质的浓度降低至镀液可继续使用的基准以下，能够使镀液再生，无需重新制备另一镀液。电解镀铜液含有铜离子和选自增亮剂、载体以及均镀剂所构成的组中的至少一种添加剂。电解镀铜液的再生处理方法至少包括紫外线臭氧处理工序和活性炭处理工序，在紫外线臭氧处理工序中，将所述电解镀铜液氧化，分解该电解镀铜液中的有机杂质；在活性炭处理工序中，使已进行了紫外线臭氧处理工序的电解镀铜液与活性炭接触，从电解镀铜液中除去有机杂质。
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