半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109690765B

    公开(公告)日:2023-05-09

    申请号:CN201780055573.6

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 半导体装置(1)具备:半导体元件(2);支承体(3),是在最表面(35)具有金属化层(34)的金属部件,且配置为所述最表面与所述半导体元件相对置,所述金属化层(34)含有铁族元素即第一成分和铬以外的周期表第5族或第6族过渡金属元素即第二成分;接合件(4),配置在所述支承体的所述最表面与所述半导体元件之间,并设置为通过与所述最表面接合而将所述半导体元件固定于所述支承体;模塑树脂(6),设置为将所述支承体和所述接合件和所述半导体元件的接合体(S)覆盖。

    半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109690765A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201780055573.6

    申请日:2017-09-07

    Abstract: 半导体装置(1)具备:半导体元件(2);支承体(3),是在最表面(35)具有金属化层(34)的金属部件,且配置为所述最表面与所述半导体元件相对置,所述金属化层(34)含有铁族元素即第一成分和铬以外的周期表第5族或第6族过渡金属元素即第二成分;接合件(4),配置在所述支承体的所述最表面与所述半导体元件之间,并设置为通过与所述最表面接合而将所述半导体元件固定于所述支承体;模塑树脂(6),设置为将所述支承体和所述接合件和所述半导体元件的接合体(S)覆盖。

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