力检测装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106164634A

    公开(公告)日:2016-11-23

    申请号:CN201580016226.3

    申请日:2015-03-24

    CPC classification number: G01L1/18 G01L9/0054 G01L9/0055 G01L9/06

    Abstract: 力检测装置具备基板(2)和力传递块(4);基板包括高灵敏度台面型测量构件(14、18)、低灵敏度台面型测量构件(12、16)和台面型引线(22a、24a、26a、28a)。力传递块与高灵敏度台面型测量构件的顶面及低灵敏度台面型测量构件的顶面接触,在台面型引线的顶面的至少一部分为非接触。或者,力传递块仅与高灵敏度台面型测量构件的顶面接触,与低灵敏度台面型测量构件为非接触。力检测装置具备基板(204)和力传递块(204);基板具有台面型测量构件(212、214、216、218)、与力传递块接触的封闭部(230)、和与力传递块接触的支柱(220)。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107709949A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201680033006.6

    申请日:2016-05-12

    Abstract: 一种半导体装置,具备:第1基板(10),在一面(10a)形成有物理量的感测部(18a~18d),并且形成有与上述感测部电连接、通过使杂质扩散而构成的多个扩散布线层(19a~19d);第2基板(30),一面(30a)与上述第1基板的一面接合。在上述第1基板与上述第2基板之间构成气密室(40),上述感测部被封闭在该气密室内。上述第1基板中,在上述一面,在内缘部构成有上述多个扩散布线层,并且,包围上述多个扩散布线层的部分成为外缘部(15)。上述外缘部在沿着上述第1基板的端部的周向上杂质浓度被设为一定。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107709949B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201680033006.6

    申请日:2016-05-12

    Abstract: 一种半导体装置,具备:第1基板(10),在一面(10a)形成有物理量的感测部(18a~18d),并且形成有与上述感测部电连接、通过使杂质扩散而构成的多个扩散布线层(19a~19d);第2基板(30),一面(30a)与上述第1基板的一面接合。在上述第1基板与上述第2基板之间构成气密室(40),上述感测部被封闭在该气密室内。上述第1基板中,在上述一面,在内缘部构成有上述多个扩散布线层,并且,包围上述多个扩散布线层的部分成为外缘部(15)。上述外缘部在沿着上述第1基板的端部的周向上杂质浓度被设为一定。

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