半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107709949B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201680033006.6

    申请日:2016-05-12

    Abstract: 一种半导体装置,具备:第1基板(10),在一面(10a)形成有物理量的感测部(18a~18d),并且形成有与上述感测部电连接、通过使杂质扩散而构成的多个扩散布线层(19a~19d);第2基板(30),一面(30a)与上述第1基板的一面接合。在上述第1基板与上述第2基板之间构成气密室(40),上述感测部被封闭在该气密室内。上述第1基板中,在上述一面,在内缘部构成有上述多个扩散布线层,并且,包围上述多个扩散布线层的部分成为外缘部(15)。上述外缘部在沿着上述第1基板的端部的周向上杂质浓度被设为一定。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107709949A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201680033006.6

    申请日:2016-05-12

    Abstract: 一种半导体装置,具备:第1基板(10),在一面(10a)形成有物理量的感测部(18a~18d),并且形成有与上述感测部电连接、通过使杂质扩散而构成的多个扩散布线层(19a~19d);第2基板(30),一面(30a)与上述第1基板的一面接合。在上述第1基板与上述第2基板之间构成气密室(40),上述感测部被封闭在该气密室内。上述第1基板中,在上述一面,在内缘部构成有上述多个扩散布线层,并且,包围上述多个扩散布线层的部分成为外缘部(15)。上述外缘部在沿着上述第1基板的端部的周向上杂质浓度被设为一定。

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