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公开(公告)号：CN101807573A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010142391.2
申请日：2006-02-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/02 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L24/06 , H01L2224/0401 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 将提供从内部电路至保护元件的电连接的信号线，从在保护元件之间布置的布线上形成的输出端口引出，并且在保护元件上方及在电极焊盘下方提供由信号线所占用的信号线区域，其中内部电路形成在一个半导体芯片的主表面上并且包括例如MIS晶体管，保护元件例如由二极管构成。在不增加芯片面积的情况下，能扩大半导体芯片的主表面上的布线区域。
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公开(公告)号：CN1822366A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610007481.4
申请日：2006-02-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L24/06 , H01L2224/0401 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 将提供从内部电路至保护元件的电连接的信号线，从在保护元件之间布置的布线上形成的输出端口引出，并且在保护元件上方及在电极焊盘下方提供由信号线所占用的信号线区域，其中内部电路形成在一个半导体芯片的主表面上并且包括例如MIS晶体管，保护元件例如由二极管构成。在不增加芯片面积的情况下，能扩大半导体芯片的主表面上的布线区域。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1933157A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610115085.3
申请日：2006-08-23
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/823462 , H01L21/823857 , H01L28/20 , H01L28/40
Abstract: 一种半导体器件，尽管存在虚拟有源区域，但是其仍使得不再需要较大的芯片面积并且改善了半导体衬底的表面平坦度。在制造这种半导体器件的工艺中，在作为有源区域的n型埋层上方形成用于高电压MISFET的厚栅绝缘膜，并且在该栅绝缘膜上方形成内部电路的电阻元件IR。由于该厚栅绝缘膜位于n型埋层与电阻元件IR之间，因此减小了在衬底(n型埋层)与电阻元件IR之间产生的耦合电容。
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公开(公告)号：CN1559065A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN01823821.1
申请日：2001-12-27
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: G09G3/3648 , G02F1/13306 , G09G3/3696 , G09G2300/0408 , G09G2310/0289
Abstract: 一种显示单元的显示驱动控制系统，在通过高电压工艺制造的电源IC上设置一个电压电平移位电路，代替具有通过低电压精细布线工艺制造的大容量显示存储器的源极驱动器IC。这使得可以降低制造源极驱动器IC的成本并减小芯片的面积，使得整个IC芯片的成本降低。
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公开(公告)号：CN1933157B
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200610115085.3
申请日：2006-08-23
Applicant: 株式会社瑞萨科技
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L21/823462 , H01L21/823857 , H01L28/20 , H01L28/40
Abstract: 一种半导体器件，尽管存在虚拟有源区域，但是其仍使得不再需要较大的芯片面积并且改善了半导体衬底的表面平坦度。在制造这种半导体器件的工艺中，在作为有源区域的n型埋层上方形成用于高电压MISFET的厚栅绝缘膜，并且在该栅绝缘膜上方形成内部电路的电阻元件IR。由于该厚栅绝缘膜位于n型埋层与电阻元件IR之间，因此减小了在衬底(n型埋层)与电阻元件IR之间产生的耦合电容。
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公开(公告)号：CN1822366B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610007481.4
申请日：2006-02-14
Applicant: 株式会社瑞萨科技
CPC classification number: H01L27/0248 , H01L24/06 , H01L2224/0401 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 将提供从内部电路至保护元件的电连接的信号线，从在保护元件之间布置的布线上形成的输出端口引出，并且在保护元件上方及在电极焊盘下方提供由信号线所占用的信号线区域，其中内部电路形成在一个半导体芯片的主表面上并且包括例如MIS晶体管，保护元件例如由二极管构成。在不增加芯片面积的情况下，能扩大半导体芯片的主表面上的布线区域。
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