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公开(公告)号：CN102265360B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980153156.0
申请日：2009-12-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/2325 , Y10T29/43 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供可防止安装时的锡焊工序中因熔剂被吸入陶瓷主体的细孔而导致的自对准性和产品特性的劣化的陶瓷电子元器件的制造方法、以及可通过该方法制造的可靠性高的陶瓷电子元器件。使用包含多氟聚醚化合物作为主要成分且包含氢氟醚作为溶剂的拒油处理剂对陶瓷主体(5)实施拒油处理，使得熔剂不会被陶瓷主体(5)吸收。在对陶瓷主体实施拒油处理的工序后紧接着设置除去过量的拒油处理剂的拒油处理剂除去工序。在拒油处理剂除去工序后设置用氢氟醚清洗陶瓷主体的清洗工序。在拒油处理剂除去工序和清洗工序之间设置对陶瓷主体进行加热处理的工序。
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公开(公告)号：CN102007551B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200980113593.X
申请日：2009-04-13
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F27/292 , H01F27/34 , H01F41/046 , H01F2017/0066 , Y10T29/4902
Abstract: 本发明提供层叠线圈部件及其制造方法。该层叠线圈部件能够抑制构成内部导体的Ag的迁移，并且能够缓和内部应力的问题而不在磁性陶瓷层与内部导体层间形成空隙，直流电阻低，并且难以发生由电涌等引起的内部导体的断线，可靠性高。该层叠线圈部件中，在内部导体(2)的表面分布金属膜(20)，在包含金属膜(20)的内部导体(2)与内部导体的周围的磁性陶瓷(11)的界面(A)不存在空隙，并且内部导体(2)与磁性陶瓷(11)的界面(A)为离解状态。从磁性陶瓷元件的侧面，经由作为内部导体的侧部与磁性陶瓷元件的侧面之间的区域的侧面间隙部，使含有金属的酸性溶液渗透，使酸性溶液到达内部导体与其周围的磁性陶瓷的界面，由此使金属在内部导体的表面析出。
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公开(公告)号：CN102265360A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980153156.0
申请日：2009-12-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/2325 , Y10T29/43 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供可防止安装时的锡焊工序中因熔剂被吸入陶瓷主体的细孔而导致的自对准性和产品特性的劣化的陶瓷电子元器件的制造方法、以及可通过该方法制造的可靠性高的陶瓷电子元器件。使用包含多氟聚醚化合物作为主要成分且包含氢氟醚作为溶剂的拒油处理剂对陶瓷主体(5)实施拒油处理，使得熔剂不会被陶瓷主体(5)吸收。在对陶瓷主体实施拒油处理的工序后紧接着设置除去过量的拒油处理剂的拒油处理剂除去工序。在拒油处理剂除去工序后设置用氢氟醚清洗陶瓷主体的清洗工序。在拒油处理剂除去工序和清洗工序之间设置对陶瓷主体进行加热处理的工序。
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公开(公告)号：CN102751093B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201210244092.9
申请日：2009-12-01
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/2325 , Y10T29/43 , Y10T29/435
Abstract: 本发明提供可防止安装时的锡焊工序中因熔剂被吸入陶瓷主体的细孔而导致的自对准性和产品特性的劣化的陶瓷电子元器件的制造方法、以及可通过该方法制造的可靠性高的陶瓷电子元器件。使用包含多氟聚醚化合物作为主要成分且包含氢氟醚作为溶剂的拒油处理剂对陶瓷主体(5)实施拒油处理，使得熔剂不会被陶瓷主体(5)吸收。在对陶瓷主体实施拒油处理的工序后紧接着设置除去过量的拒油处理剂的拒油处理剂除去工序。在拒油处理剂除去工序后设置用氢氟醚清洗陶瓷主体的清洗工序。在拒油处理剂除去工序和清洗工序之间设置对陶瓷主体进行加热处理的工序。
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公开(公告)号：CN101783229A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010002881.2
申请日：2010-01-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01F17/04 , H01F41/00 , C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种在内部导体没有较大的凹凸、平坦性、平滑性良好、耐浪涌性良好的层叠线圈元器件；以及可以高效地制造该层叠线圈元器件的层叠线圈元器件的制造方法。层叠线圈元器件在磁性体陶瓷主体(铁氧体主体)(5)的内部具有将内部导体进行层间连接而成的螺旋状的线圈(4)，磁性体陶瓷主体(5)包括层叠的多个磁性体陶瓷层(铁氧体层)(1)、和隔着磁性体陶瓷层而层叠的并以Ag为主成分的多个内部导体(2)，其中，构成磁性体陶瓷主体(5)的磁性体陶瓷粒子的粒径为0.1至2.0μm，内部导体的表面粗糙度Ra为0.1至2.0μm。另外，在所述内部导体的每30μm平方存在的贯穿孔的比例为1个以下。内部导体的烧成收缩率的值、相对于磁性体陶瓷层(铁氧体层)的烧成收缩率的值为10至90％的范围。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101331564A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047294.7
申请日：2006-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F41/041 , H01F2017/002 , Y10T29/49071
Abstract: 本发明揭示一种缓和焊盘部或者通孔导体的重叠部分的应力集中，且特性良好、并除去短路不合格或者安装不合格等的不理想情况的层叠线圈器件及其制造方法。层叠陶瓷层(1)和线圈导体(11)，通过借助通孔导体(13)使形成于线圈导体(11)的端部的焊盘部(12)实现层间连接，从而形成螺旋状的线圈而得到层叠线圈器件。焊盘部(12)的厚度形成得比线圈导体(11)的厚度更薄，据此，使焊盘部(12)和通孔导体(13)的重叠部分的应力集中得到缓和。
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公开(公告)号：CN101331564B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200680047294.7
申请日：2006-09-06
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F41/041 , H01F2017/002 , Y10T29/49071
Abstract: 本发明揭示一种缓和焊盘部或者通孔导体的重叠部分的应力集中，且特性良好、并除去短路不合格或者安装不合格等的不理想情况的层叠线圈器件及其制造方法。层叠陶瓷层(1)和线圈导体(11)，通过借助通孔导体(13)使形成于线圈导体(11)的端部的焊盘部(12)实现层间连接，从而形成螺旋状的线圈而得到层叠线圈器件。焊盘部(12)的厚度形成得比线圈导体(11)的厚度更薄，据此，使焊盘部(12)和通孔导体(13)的重叠部分的应力集中得到缓和。
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公开(公告)号：CN101821822B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200980100681.6
申请日：2009-06-24
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01F17/00
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F17/04
Abstract: 提供一种叠层线圈零件，即使由多孔疏松的磁性体陶瓷形成磁性体陶瓷元件的至少一部分的情况下，在锡焊工序中也不会吸收焊剂而影响焊锡的熔融性或自定位性。在内部导体(2)与其周围的磁性体陶瓷(11)的界面处不存在空隙且界面不相结合，处于内部导体(2)的上侧最外层与下侧最外层之间的中央区域(7)的磁性体陶瓷，具有从磁性体陶瓷元件的侧面(3a)至内部导体的孔隙面积率为6％～20％的区域{侧隙部(8)}，中央区域的上侧的第一外层区域(9a)和中央区域的下侧的第二外层区域(9b)中的至少一方(安装基板的搭载面侧的外层区域)的孔隙面积率低于5％。磁性体陶瓷元件的厚度尺寸(T)与宽度尺寸(W)不同，能够识别方向性。
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公开(公告)号：CN102132363A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980133429.5
申请日：2009-06-26
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , H01F3/10 , H01F17/04
Abstract: 通过本发明可获得在内部导体与其周围的磁性体陶瓷之间不形成空隙，并能够缓和内部应力的问题，且内部导体覆盖率为99.5％以上，内部导体的占有率高、阻抗低、不容易发生因冲击等造成的内部导体的断线、可靠性高的层叠线圈部件。使内部导体覆盖率为99.5％以上，并在内部导体(2)与内部导体周围的磁性体陶瓷(11)的界面不存在空隙，内部导体与磁性体陶瓷的界面成为解离的状态。内部导体的侧部与磁性体陶瓷元件(3)的侧面之间的区域、即边缘间隙部(8)的气孔面积率为6～20％的范围。通过使酸性溶液从磁性体陶瓷元件边缘间隙部浸透，到达内部导体与其周围的磁性体陶瓷的界面，来将内部导体与其周围的磁性体陶瓷的界面的结合切断。
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