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公开(公告)号：CN1426128A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN02157406.5
申请日：2002-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/2086 , H01P7/10
Abstract: 一种电介质共振元件及其该元件的利用装置，各自大致正方形板状的第1平板部分(1a)、第2平板部分(1b)由电介质材料一体成形，形成共同具有大致平行于各自一边的中心线相互间并交叉的形状，构成电介质共振元件。在第1、第2平板部分，产生电场矢量围绕各平板部分的面内方向的TE01δ方式的共振方式。本发明不会产生因不需要的结合方式所发生的不良现象，可适用于2频率的振动器装置。
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公开(公告)号：CN1146073C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN98106436.1
申请日：1998-02-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P7/105
Abstract: 一种多模式介电谐振器，其中，由组合成交叉形状的多个介电元件形成的组合介电块被用于引起沿由两个所述介电元件规定的平面的三个谐振模式，其中，确定每个谐振模式的谐振频率，或一种多模式介电谐振器，其中，确定预定谐振模式之间的耦合程度。如果第一和第三谐振模式是两个具有不同电场分布对称线的TM110模式和如果第二模式是TM111模式，在组合介电块中例如第一谐振模式电场分布集中而第二和第三谐振模式电场分布不集中处形成介电切割部分，借此以选择性地确定第一谐振模式的谐振频率。
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公开(公告)号：CN100392911C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN98808808.8
申请日：1998-08-28
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P7/105 , H01P1/2086
Abstract: 本发明提供了一种多模式介质谐振装置，其中容易将介质芯安排在腔体内，并包含多级谐振器，并具有高的Qo值。使用支持件(3)将以诸如TMO1δ-(x-z)、TEO1δ-y、TMO1δ-(x+z)等多模式谐振的介质芯(1b，1c)以浮状态支持在腔体(2)的近乎中心，并和腔体(2)的内壁分开预定的距离。
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公开(公告)号：CN1269914A
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN98808808.8
申请日：1998-08-28
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P7/105 , H01P1/2086
Abstract: 本发明提供了一种多模式介质谐振装置,其中容易将介质芯安排在腔体内,并包含多级谐振器,并具有高的Qo值。使用支持件(3)将以诸如TM01δ－(x－z)、TE01δ－y、TM01δ－(x+z)等多模式谐振的介质芯(1b,1c)以浮状态支持在腔体(2)的近乎中心,并和腔体(2)的内壁分开预定的距离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1701463A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480001132.0
申请日：2004-10-27
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/2084 , H01P7/10
Abstract: 整体地模制在TE01δ模式下谐振的介电谐振元件和沿与介电谐振元件垂直的方向设置的突起部分，并且使突起部分的外周处的侧面倾斜，从而使介电谐振元件的底表面侧的面积大于突起部分的下表面的面积。由于这样的结构，将介电谐振元件的磁场扩散到突起部分的外周处的侧面的倾斜部分并围绕所述侧面的倾斜部分，并且磁场分布在介电谐振元件下发生增加。即使将输入输出电极设置在远离突起部分的位置处，输入输出电极也与介电谐振元件强耦合，引起了充分地耦合。
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公开(公告)号：CN1197305A
公开(公告)日：1998-10-28
申请号：CN98106436.1
申请日：1998-02-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P7/10
CPC classification number: H01P7/105
Abstract: 一种多模式介电谐振器,其中,由组合成交叉形状的多个介电元件形成的组合介电块被用于引起沿由两个所述介电元件规定的平面的三个谐振模式,其中,确定每个谐振模式的谐振频率,或一种多模式介电谐振器,其中,确定预定谐振模式之间的耦合程度。如果第一和第三谐振模式是两个具有不同电场分布对称线的TM110模式和如果第二模式是TM11模式,在组合介电块中例如第一谐振模式电场分布集中而第二和第三谐振模式电场分布不集中处形成介电切割部分,借此以选择性地确定第一谐振模式的谐振频率。
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公开(公告)号：CN1314164C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200480001132.0
申请日：2004-10-27
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P1/2084 , H01P7/10
Abstract: 整体地模制在TE01δ模式下谐振的介电谐振元件和沿与介电谐振元件垂直的方向设置的突起部分，并且使突起部分的外周处的侧面倾斜，从而使介电谐振元件的底表面侧的面积大于突起部分的下表面的面积。由于这样的结构，将介电谐振元件的磁场扩散到突起部分的外周处的侧面的倾斜部分并围绕所述侧面的倾斜部分，并且磁场分布在介电谐振元件下发生增加。即使将输入输出电极设置在远离突起部分的位置处，输入输出电极也与介电谐振元件强耦合，引起了充分地耦合。
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公开(公告)号：CN1269913A
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：CN98808807.X
申请日：1998-08-28
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01P7/105 , H01P1/2086
Abstract: 本发明提供了一种包含多级的小尺寸谐振器的介质谐振装置和具有高的Qo值的多模式介质谐振装置。在大致上成平行六面体形状的腔体的中心部分设置大致成平行六面体形状的介质芯,以诸如TM01δ－x、TM01δ－y和TM01δ－z以及TE01δ－x、－y、－z等模式的多模式谐振,以利用这些谐振模式。
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公开(公告)号：CN219626872U
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202190000941.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01P3/08
Abstract: 本实用新型提供一种多层基板。层叠体具有在上下方向上层叠了多个绝缘体层的构造。第1导体层设置在绝缘体层的上主面，并且传输第1信号。第2导体层设置在与设置有第1导体层的绝缘体层的上主面或者下主面相同的绝缘体层的同一主面，并且传输具有比第1信号高的频率的第2信号。上导体层设置在比第2导体层靠上方。第2导体层的上下方向的厚度小于第1导体层的上下方向的厚度。第2导体层与上导体层的上下方向上的距离大于第1导体层与上导体层的上下方向上的距离。上导体层是接地导体层。上导体层设置在多个绝缘体层之中位于最靠上方向的绝缘体层的上主面。
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