服务器、半导体器件制造系统以及制造方法

    公开(公告)号:CN119895544A

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202380015613.X

    申请日:2023-08-24

    Abstract: 本发明目的在于,提供探测仅凭借从俯视图得到的平面的尺寸数据得不到的形状不良状况、准确地进行蚀刻参数的控制的技术。为此,本发明的服务器基于形成于试样的蚀刻形状的特征量和目标值的变化量、与半导体制造装置的蚀刻参数的相关数据来进行蚀刻参数的控制,以使得能得到所期望的半导体制造装置的处理结果,特征量使用从来自试样的表面的2次电子数据或来自试样的表面的干涉光数据得到的值。特征量有时是基于2次电子数据或干涉光数据从试样的蚀刻形状的尺寸得到的值。此外,作为特征量的变化量,有空间上或时间上的变化的值。

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