-
公开(公告)号：CN119604967A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380020746.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的蚀刻系统特征在于，具备：对晶片(104)进行蚀刻的蚀刻装置(103)；测定形成于被蚀刻装置(103)蚀刻的晶片(104)的表面上的图案的测定装置(101)；和对蚀刻装置(103)提供蚀刻条件的计算装置(102)，计算装置(102)基于来自测定装置(101)的图案的测定结果来算出蚀刻条件当中的与温度条件的相关高的第1参数和相关低的第2参数，基于算出的第1参数来算出第1参数成为容许范围内的温度条件，判定算出的第2参数是否是容许范围内，在算出的第2参数为容许范围外的情况下，提供变更了温度条件以外的条件的蚀刻条件，在算出的第2参数为容许范围内的情况下，提供将温度条件变更为算出的温度条件的蚀刻条件。
-
公开(公告)号：CN118176567A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280008287.5
申请日：2022-10-11
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明是一种等离子处理方法，在重复在被蚀刻晶片的表面形成反应层的吸附工序和使用亚稳定状态的稀有气体除去所形成的反应层的脱离工序的循环蚀刻法中，能构建量产性卓越的自限的工艺，特征在于，具有：通过使用反应性气体生成的等离子在被蚀刻膜形成反应层的吸附工序；和使用通过等离子生成的亚稳定状态的稀有气体来除去反应层的脱离工序，重复吸附工序和脱离工序，吸附工序的压力比脱离工序的压力高。
-
公开(公告)号：CN115707347A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202180013644.2
申请日：2021-06-17
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种等离子体处理技术，其在Si层及SiGe层交替地重复层叠而成的层叠结构中，对各SiGe层的蚀刻量不依赖于层叠结构的深度的SiGe进行各向同性干式蚀刻。在将Si层及SiGe层交替地重复层叠而成的结构的各SiGe层相对于各Si层选择性地进行各向同性蚀刻的等离子体处理方法中，反复进行使用了含氧(O)元素气体的等离子体氧化和含氟(F)元素及碳(C)元素气体的等离子体蚀刻。
-
公开(公告)号：CN119895544A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380015613.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明目的在于，提供探测仅凭借从俯视图得到的平面的尺寸数据得不到的形状不良状况、准确地进行蚀刻参数的控制的技术。为此，本发明的服务器基于形成于试样的蚀刻形状的特征量和目标值的变化量、与半导体制造装置的蚀刻参数的相关数据来进行蚀刻参数的控制，以使得能得到所期望的半导体制造装置的处理结果，特征量使用从来自试样的表面的2次电子数据或来自试样的表面的干涉光数据得到的值。特征量有时是基于2次电子数据或干涉光数据从试样的蚀刻形状的尺寸得到的值。此外，作为特征量的变化量，有空间上或时间上的变化的值。
-
公开(公告)号：CN118103947A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280018652.0
申请日：2022-09-26
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/02
Abstract: 为了提供使处理的成品率提升的半导体器件的制造系统以及半导体器件的制造方法，具备半导体器件制造装置和晶片温度计算系统，该半导体器件制造装置具备在上表面载置晶片的晶片载台、配置于该晶片载台内部且配置于所述上表面的多个区域的下方的多个加热器、以及调节供给到这多个加热器的多个加热器电源的输出的控制器，对所述晶片进行处理，该晶片温度计算系统判定为了实现所述晶片的处理中的目标的温度而预先算出的所述多个加热器电源的第1输出值是否处于容许范围内，在处于容许范围外的情况下，算出全部所述第1输出值被修正为容许范围内的值的第2输出值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118830063A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202380013065.7
申请日：2023-02-15
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 提供一种通过将电场圆度控制为最佳值，能够进行均匀的等离子处理的技术。提供如下技术，具备：波导管，与真空容器连结，传播等离子生成用的电场；矩形波导管，构成所述波导管，以最低阶的模进行动作；圆形波导管，构成所述波导管，以最低阶的模进行动作；圆矩形变换器，连接所述矩形波导管和所述圆形波导管；处理室，在所述圆形波导管的下方配置在所述真空容器内，通过所述电场形成等离子；圆偏振波产生器，配置在所述圆形波导管的内部；圆偏振波校正器，调节所述圆形波导管的内部的圆偏振波；控制部，调节所述圆偏振波校正器的动作；以及自动匹配器，与所述矩形波导管的与所述圆矩形变换器相反的端连接，检测反射的电场，与其对应地取得阻抗的匹配，使用由所述自动匹配器测定的反射电场、和连接反射电场测定面和想要监视电场分布的面的电场传播区域的散射矩阵(S)，计算电场分布，根据基于计算结果的电场分布来控制所述圆偏振波校正器的动作。
-
公开(公告)号：CN117015846A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202280006011.3
申请日：2022-03-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在本发明中，其目的在于提供一种能够选择性地除去含金属层的控制性高的等离子处理方法。一种等离子处理方法，对在所形成的图案上成膜且被含碳膜覆盖的含金属膜进行等离子蚀刻，在除去含碳膜后，通过基于从等离子产生的自由基的蚀刻，来除去含金属膜。
-
公开(公告)号：CN119732180A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380012990.8
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H05H1/46 , H01P5/04 , H01L21/3065
Abstract: 在晶片外周部，将微波电场强度的周向偏差最小化，从而改善等离子处理的周向均匀性。等离子处理装置在同轴上将TE11模的微波经由圆形波导管导入处理室，在该等离子处理装置中，从圆形波导管内的上方起设置微波的90°相位差板，在其下方设置180°相位差板。在等离子处理装置中，进一步在180°相位差板连接旋转驱动机构。在等离子处理装置中，进一步在180°相位差板的下方连接检测周向的电场强度的偏差的检波器，具有：控制单元，其调整180°相位差板的旋转角度，以使得将由检波器检测的电场强度的轴对称性的变差抑制在最小限度。
-
公开(公告)号：CN119384870A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202380013077.X
申请日：2023-05-25
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H05H1/46
Abstract: 本公开在使用ECR的等离子处理装置中，将包含ECR面的位置、形状的参数的信息作为向等离子处理装置的控制装置的输入值。能够从等离子处理装置的输入装置输入到控制装置的ECR面形状的信息被另外确定的放电稳定基准限制。在满足放电稳定基准的情况下，从包含多个线圈电流值与ECR面形状信息的关系的数据库中提取多个线圈电流值的候补，从该多个线圈电流值的候补中按照线圈电流选定基准来决定向多个线圈输入的多个线圈电流值。
-
公开(公告)号：CN115226410A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202180005217.X
申请日：2021-02-19
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 等离子处理装置具备：在上方具备微波所透过的电介质板且对样品进行等离子处理的处理室；供给所述微波的高频电力的高频电源；使从所述高频电源经由波导管传输的微波谐振且配置于所述电介质板的上方的空腔谐振器；和在所述处理室内形成磁场的磁场形成机构，在该等离子处理装置中，还具备：配置于所述空腔谐振器的内部的环状导体；和配置于所述空腔谐振器的内部且配置于所述环状导体的中央的开口的圆形导体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.021 seconds)
