公开(公告)号：CN1193812A

公开(公告)日：1998-09-23

申请号：CN98105670.9

申请日：1998-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 橘内浩之 ,  妻木伸夫 ,  角田茂 ,  野尻一男 ,  高桥主人

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/30604 ,  Y10S438/905

Abstract: 提供一种干清洗方法,它能清除粘附在半导体制造装置内壁的淀积薄膜,亦即清除微尘产生根源。为达到这目的,该干清洗过程包括以下步骤:清除装置内部组件材料的离子溅射物质及其衍生物,清除装置内部组件材料和刻蚀气体的化学混合物,以及刻蚀化学反应物。从而可能消除微尘的产生,这些微尘是随着加工晶片数量上的增多导致淀积膜的剥落而产生的。最终提高制造装置的制造产量和工作效率。

公开(公告)号：CN1259765A

公开(公告)日：2000-07-12

申请号：CN99124794.9

申请日：1999-12-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 汤之上隆 ,  野尻一男 ,  大路让 ,  恒川助芳 ,  平谷正彦 ,  松井裕一

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明提供一种集成电路制造方法,用诸如铂或BST之类的薄膜作为对钌等构图用的硬掩模,从而可以在不去掉硬掩模的情况下形成器件。此外,本发明方法使得可以插入例如铂等保护膜,从而防止去除用于构图硬掩模用的抗蚀剂时,底层钌膜等受损伤。

公开(公告)号：CN1124407A

公开(公告)日：1996-06-12

申请号：CN95103555.X

申请日：1995-03-25

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立VLSI工程公司

Inventor： 薄網弘久 ,  津国和之 ,  児岛雅之 ,  野尻一男 ,  风本圭司

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817

Abstract: 一种用以形成存贮电极的上层翅片和下层翅片的工艺方法，以及由此方法制造的半导体集成电路器件。当用第1掩模由干法腐蚀依次刻蚀成两层的多晶硅膜以形成上层翅片和下层翅片时，首先把上层多晶硅膜刻成图形，以便按DRAM存储单元最小加工尺寸形成两上层翅片的间隙，形成上层翅片。再利用具有以自对准方式由第1掩模图形扩大了的图形的第2掩模，由干法腐蚀形成下层翅片，使下翅片的水平尺寸大于上层翅片。