公开(公告)号：CN1193812A

公开(公告)日：1998-09-23

申请号：CN98105670.9

申请日：1998-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 橘内浩之 ,  妻木伸夫 ,  角田茂 ,  野尻一男 ,  高桥主人

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/30604 ,  Y10S438/905

Abstract: 提供一种干清洗方法,它能清除粘附在半导体制造装置内壁的淀积薄膜,亦即清除微尘产生根源。为达到这目的,该干清洗过程包括以下步骤:清除装置内部组件材料的离子溅射物质及其衍生物,清除装置内部组件材料和刻蚀气体的化学混合物,以及刻蚀化学反应物。从而可能消除微尘的产生,这些微尘是随着加工晶片数量上的增多导致淀积膜的剥落而产生的。最终提高制造装置的制造产量和工作效率。