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    磁记录装置与磁光记录装置
    1.
    发明公开
    磁记录装置与磁光记录装置 失效

    公开(公告)号：CN1179853A

    公开(公告)日：1998-04-22

    申请号：CN95197805.5

    申请日：1995-03-17

    申请人： 株式会社日立制作所

    发明人： 赤城协 ,  城石芳博 ,  土屋铃二朗 ,  滨口雄彦 ,  梅本益雄 ,  铃木干夫 ,  川边隆 ,  渡边克朗

    IPC分类号： G11B21/10

    摘要： 设定虚拟轨道以使磁记录媒体的转动中心(11)或其附近的点成为上述数据信息的轨道中心而进行定位伺服。据此,因为无需准确地跟踪开始时在磁记录媒体或磁光记录媒体上记录的伺服信息所规定的轨道中心线,不易发生与转动同步的振动。因此,在转动中心(11)和模式中心(12)不重合的情况下,由于不会发生与转动同步的振动,可以得到磁头或磁光头的轨道跟踪精度获得改善的磁记录装置或磁光记录装置。因此,可以进一步提高记录密度。

    磁传感器
    4.
    发明公开
    磁传感器 失效 转让

    公开(公告)号：CN1494060A

    公开(公告)日：2004-05-05

    申请号：CN03102236.7

    申请日：2003-01-30

    申请人： 株式会社日立制作所

    发明人： 新谷拓 ,  渡边克朗 ,  幡谷昌彦 ,  楠川喜久雄

    IPC分类号： G11B5/39 ,  H01L43/08

    CPC分类号： G11B5/3912 ,  G01R33/09 ,  G11B5/3903 ,  H01L43/08

    摘要： 本发明是关于重放磁记录信息的磁传感器及其制造方法，以及搭载该传感器的磁记录重放装置。其目的是抑制巴克豪森噪音的发生。它是在纵向偏磁施加层和上部磁屏蔽层之间，或者，纵向偏磁施加层、上部磁屏蔽层和磁阻效应膜之间，插入至少含有非磁性金属层的隔离层，使纵向偏磁施加层和磁阻效应膜的自由层最短距离，大于纵向偏磁施加层和上部磁屏蔽层间的最短距离。由此，由纵向偏磁施加层进行磁阻效应膜的自由层中的磁通量大于被上部磁屏蔽层吸收的磁通量，从而可获得能抑制巴克豪森噪音的磁传感器。

    磁记录装置与磁光记录装置
    5.
    发明授权
    磁记录装置与磁光记录装置 失效

    公开(公告)号：CN1120492C

    公开(公告)日：2003-09-03

    申请号：CN95197805.5

    申请日：1995-03-17

    申请人： 株式会社日立制作所

    发明人： 赤城协 ,  城石芳博 ,  土屋铃二朗 ,  滨口雄彦 ,  梅本益雄 ,  铃木干夫 ,  川边隆 ,  渡边克朗

    IPC分类号： G11B21/10

    摘要： 设定虚拟轨道以使磁记录媒体的转动中心(11)或其附近的点成为上述数据信息的轨道中心而进行定位伺服。据此，因为无需准确地跟踪开始时在磁记录媒体或磁光记录媒体上记录的伺服信息所规定的轨道中心线，不易发生与转动同步的振动。因此，在转动中心(11)和模式中心(12)不重合的情况下，由于不会发生与转动同步的振动，可以得到磁头或磁光头的轨道跟踪精度获得改善的磁记录装置或磁光记录装置。因此，可以进一步提高记录密度。

    磁变电阻效应型磁头及其制造方法
    7.
    发明公开
    磁变电阻效应型磁头及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN1117180A

    公开(公告)日：1996-02-21

    申请号：CN95104052.9

    申请日：1995-03-08

    申请人： 株式会社日立制作所

    发明人： 田所茂 ,  渡边克朗 ,  今川尊雄 ,  田岛康成

    IPC分类号： G11B5/31

    CPC分类号： G11B5/3932 ,  G11B5/3967

    摘要： 磁变电阻效应型磁头具有用磁场改变电阻的磁变电阻效应膜14、使电流流到前述磁变电阻膜的一对电极17和为把横偏磁磁场加于前述磁变电阻效应膜的软磁性膜16，其特征是前述软磁性膜16含有铁、钴和镍之中至少一种材料和氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅和稀土类氮化物中的至少一种化合物。由于添加化合物，使软磁性膜的电阻上升，由磁变电阻效应膜分流到软磁性膜的电流减少，从而提高了磁变电阻效应型磁头的重放电压。