公开(公告)号：CN1117180A

公开(公告)日：1996-02-21

申请号：CN95104052.9

申请日：1995-03-08

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 田所茂 ,  渡边克朗 ,  今川尊雄 ,  田岛康成

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3932 ,  G11B5/3967

Abstract: 磁变电阻效应型磁头具有用磁场改变电阻的磁变电阻效应膜14、使电流流到前述磁变电阻膜的一对电极17和为把横偏磁磁场加于前述磁变电阻效应膜的软磁性膜16，其特征是前述软磁性膜16含有铁、钴和镍之中至少一种材料和氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅和稀土类氮化物中的至少一种化合物。由于添加化合物，使软磁性膜的电阻上升，由磁变电阻效应膜分流到软磁性膜的电流减少，从而提高了磁变电阻效应型磁头的重放电压。

公开(公告)号：CN1534603A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200310102384.X

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 淡河纪宏 ,  小岛修一 ,  冈崎幸司 ,  重松惠嗣 ,  田岛康成

IPC: G11B5/39 ,  H01F41/14

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底层，使磁畴控制膜与自由层的两侧端接触，可使除磁畴控制膜外所多余的偏置磁场以最小化的状态实现适当的磁畴控制。

公开(公告)号：CN1265357C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200310102384.X

申请日：2003-10-23

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 淡河纪宏 ,  小岛修一 ,  冈崎幸司 ,  重松惠嗣 ,  田岛康成

IPC: G11B5/39 ,  H01F41/14

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  Y10T29/49052

Abstract: 本发明涉及磁阻效应磁头及其制造方法。在现有的磁阻效应磁头中，若不将磁畴控制所必须的偏置磁场控制得较大，就不能进行适当的磁畴控制。通过在磁阻效应多层膜的下部形成磁畴控制底层，使磁畴控制膜与自由层的两侧端接触，可使除磁畴控制膜外所多余的偏置磁场以最小化的状态实现适当的磁畴控制。