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公开(公告)号：CN108305874B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201711444009.1
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L23/06
Abstract: 本公开的一种半导体装置具备：基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；第一配线，设置在基板上的第一区域、第二区域和第三区域；半导体膜，至少其一部分具有低电阻区域，并且，在第一区域，设置在第一配线与基板之间，并在第二区域，与第一配线接触；第二配线，设置在比半导体膜更接近基板的位置，并且在第三区域与第一配线接触；以及绝缘膜，设置在第一区域的第一配线与半导体膜之间。
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公开(公告)号：CN102214698B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110082455.9
申请日：2011-04-01
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、显示装置以及电子单元，该薄膜晶体管使用用于沟道的氧化物半导体，其可以被控制为使得阈值电压为正并且可以改善可靠性。该薄膜晶体管包括：栅电极；一对源电极/漏电极；氧化物半导体层，形成沟道并设置在栅电极和一对源电极/漏电极之间；作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近栅电极的一侧；以及第二绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近一对源电极/漏电极的一侧，其中，第一绝缘膜和第二绝缘膜中的一个或两个包含膜密度为2.70g/cm3以上且小于2.79g/cm3的氧化铝。
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公开(公告)号：CN110071138A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811464943.4
申请日：2018-12-03
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
Abstract: 本公开提供一种发光装置和显示装置，其具备：多个像素，各自沿着第一方向具有发光区域和非发光区域；第一电极，设置在多个像素各自的发光区域；隔壁，设置在与第一方向交叉的第二方向上相邻的像素之间；发光层，连续设置在发光区域和非发光区域，并且覆盖第一电极；以及第二电极，隔着发光层与第一电极对置。
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公开(公告)号：CN108305874A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711444009.1
申请日：2017-12-27
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L23/06
CPC classification number: H01L27/124 , H01L21/0273 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/1262 , H01L27/1288 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本公开的一种半导体装置具备：基板，包括沿着所定的方向依次邻接设置的第一区域、第二区域和第三区域；第一配线，设置在基板上的第一区域、第二区域和第三区域；半导体膜，至少其一部分具有低电阻区域，并且，在第一区域，设置在第一配线与基板之间，并在第二区域，与第一配线接触；第二配线，设置在比半导体膜更接近基板的位置，并且在第三区域与第一配线接触；以及绝缘膜，设置在第一区域的第一配线与半导体膜之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102290442B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201110156387.6
申请日：2011-06-10
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/78606 , H01L29/78633 , H01L29/78648
Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管和显示装置，其中该薄膜晶体管包括：栅电极、源电极、漏电极、形成在栅电极上的氧化物半导体有源层、形成在氧化物半导体有源层的一部分上的固定电荷蓄积层、形成在固定电荷蓄积层上的固定电荷控制电极。
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公开(公告)号：CN109473452B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201810711146.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H10K59/131
Abstract: 本技术提供一种显示装置，其具备第一基板、晶体管、第一布线层、第二布线层和绝缘膜。第一基板设置有显示区域和显示区域外侧的周边区域。晶体管设置在第一基板上的显示区域，并且具有：半导体层，与半导体层对置的栅电极，栅电极与半导体层之间的栅极绝缘膜，和与半导体层电连接的源·漏电极。第一布线层设置在第一基板上的周边区域且与晶体管电连接，并且配置在比与晶体管的栅电极和源·漏电极同层的位置更靠近第一基板的位置。第二布线层设置在第一基板上，并且具有与第一布线层的电位不同的电位。绝缘膜设置在第二布线层与第一布线层之间。
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公开(公告)号：CN109473452A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201810711146.5
申请日：2018-07-02
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H01L27/32
Abstract: 本技术提供一种显示装置，其具备第一基板、晶体管、第一布线层、第二布线层和绝缘膜。第一基板设置有显示区域和显示区域外侧的周边区域。晶体管设置在第一基板上的显示区域，并且具有：半导体层，与半导体层对置的栅电极，栅电极与半导体层之间的栅极绝缘膜，和与半导体层电连接的源·漏电极。第一布线层设置在第一基板上的周边区域且与晶体管电连接，并且配置在比与晶体管的栅电极和源·漏电极同层的位置更靠近第一基板的位置。第二布线层设置在第一基板上，并且具有与第一布线层的电位不同的电位。绝缘膜设置在第二布线层与第一布线层之间。
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公开(公告)号：CN104282682B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201410311255.X
申请日：2014-07-01
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法、显示装置与电子设备。其中，该半导体装置包括：包括下部电极与上部电极之间的第一绝缘膜的电容器；以及包括第二绝缘膜和半导体膜的第一层压结构，该第二绝缘膜和半导体膜位于下部电极的边缘的部分或全部与第一绝缘膜之间。
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公开(公告)号：CN103035737B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210371777.X
申请日：2012-09-28
Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器
IPC: H01L29/786 , H01L27/02 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L29/45
Abstract: 本发明提供了一种显示装置、其制造方法和电子单元。所述显示装置包括：薄膜晶体管；和布线层；所述薄膜晶体管包括控制电极，面对所述控制电极的半导体层，由透光材料制成且电连接至所述半导体层的第一电极，以及包括电阻低于所述透光材料的电阻的金属膜的第二电极，所述第二电极电连接至所述半导体层和所述布线层中的每一个，其中构成所述金属膜的材料和构成所述布线层的一部分或全部的导电材料之间的离子化倾向之差小于所述透光材料和所述导电材料之间的离子化倾向之差。
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