公开(公告)号：CN104078511B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410108581.0

申请日：2014-03-21

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/32 ,  G02F1/136 ,  G02F1/167

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了半导体器件、显示单元以及电子装置，其中该半导体器件包括晶体管。该晶体管包括：栅电极；氧化物半导体摸，面向栅电极并且包括与栅电极重叠的第一重叠区；低阻抗区，设置在氧化物半导体膜内；以及第一分离区，设置在低阻抗区与第一重叠区之间。

公开(公告)号：CN103178057B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201210555624.0

申请日：2012-12-19

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 诸沢成浩 ,  荒井俊明

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明公开了一种显示器及电子单元。显示器件包括：显示元件；晶体管，其被配置为驱动显示元件，该晶体管包括沟道区；以及保持电容器。氧化物半导体膜被设置在横过晶体管和保持电容器的区域中，该氧化物半导体膜包括：第一区域，其在晶体管的沟道区中形成；以及第二区域，其具有比第一区域的电阻更低的电阻。第二区域在晶体管和保持电容器的除沟道区之外的区域中形成。

公开(公告)号：CN102738145B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210078676.3

申请日：2012-03-22

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 诸沢成浩

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/94 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明涉及显示装置和电子设备，其中，该显示装置其包括：基板、显示元件、作为显示元件的驱动元件的晶体管、以及保持对应于视频信号的电荷的电容保持元件。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。该电容保持元件包括：包含氧化物半导体的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第一导电膜、设置在第一半导体层与第一导电膜之间的第一绝缘膜、以及通过在第一半导体层上的选择性区域中去除第一导电膜和第一绝缘膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。

公开(公告)号：CN102738405B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210080135.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 诸沢成浩

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2227/323

Abstract: 本发明涉及显示装置和电子设备，其中，该显示装置包括：基板；显示元件；晶体管，作为显示元件的驱动元件；以及电容保持元件，保持对应于视频信号的电荷，并且以靠近基板的顺序包括第一导电膜、包含氧化物半导体的第一半导体层、绝缘膜以及第二导电膜。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。

公开(公告)号：CN102214698B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110082455.9

申请日：2011-04-01

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 福本绘理 ,  寺井康浩 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、显示装置以及电子单元，该薄膜晶体管使用用于沟道的氧化物半导体，其可以被控制为使得阈值电压为正并且可以改善可靠性。该薄膜晶体管包括：栅电极；一对源电极/漏电极；氧化物半导体层，形成沟道并设置在栅电极和一对源电极/漏电极之间；作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近栅电极的一侧；以及第二绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近一对源电极/漏电极的一侧，其中，第一绝缘膜和第二绝缘膜中的一个或两个包含膜密度为2.70g/cm3以上且小于2.79g/cm3的氧化铝。