公开(公告)号：CN102290442B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201110156387.6

申请日：2011-06-10

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 寺井康浩 ,  福本绘理 ,  荒井俊明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明公开了薄膜晶体管和显示装置，其中该薄膜晶体管包括：栅电极、源电极、漏电极、形成在栅电极上的氧化物半导体有源层、形成在氧化物半导体有源层的一部分上的固定电荷蓄积层、形成在固定电荷蓄积层上的固定电荷控制电极。

公开(公告)号：CN102214698B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201110082455.9

申请日：2011-04-01

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 福本绘理 ,  寺井康浩 ,  诸沢成浩

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供了薄膜晶体管、显示装置以及电子单元，该薄膜晶体管使用用于沟道的氧化物半导体，其可以被控制为使得阈值电压为正并且可以改善可靠性。该薄膜晶体管包括：栅电极；一对源电极/漏电极；氧化物半导体层，形成沟道并设置在栅电极和一对源电极/漏电极之间；作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近栅电极的一侧；以及第二绝缘膜，设置在氧化物半导体层上靠近一对源电极/漏电极的一侧，其中，第一绝缘膜和第二绝缘膜中的一个或两个包含膜密度为2.70g/cm3以上且小于2.79g/cm3的氧化铝。