公开(公告)号：CN109473452B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN201810711146.5

申请日：2018-07-02

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 村井淳人 ,  寺井康浩 ,  丸山贵士 ,  大岛宜浩 ,  豊田基博 ,  海老原良介 ,  广升泰信

IPC: H10K59/131

Abstract: 本技术提供一种显示装置，其具备第一基板、晶体管、第一布线层、第二布线层和绝缘膜。第一基板设置有显示区域和显示区域外侧的周边区域。晶体管设置在第一基板上的显示区域，并且具有：半导体层，与半导体层对置的栅电极，栅电极与半导体层之间的栅极绝缘膜，和与半导体层电连接的源·漏电极。第一布线层设置在第一基板上的周边区域且与晶体管电连接，并且配置在比与晶体管的栅电极和源·漏电极同层的位置更靠近第一基板的位置。第二布线层设置在第一基板上，并且具有与第一布线层的电位不同的电位。绝缘膜设置在第二布线层与第一布线层之间。

公开(公告)号：CN109473452A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201810711146.5

申请日：2018-07-02

Applicant: 株式会社日本有机雷特显示器

Inventor： 村井淳人 ,  寺井康浩 ,  丸山贵士 ,  大岛宜浩 ,  豊田基博 ,  海老原良介 ,  广升泰信

IPC: H01L27/32

Abstract: 本技术提供一种显示装置，其具备第一基板、晶体管、第一布线层、第二布线层和绝缘膜。第一基板设置有显示区域和显示区域外侧的周边区域。晶体管设置在第一基板上的显示区域，并且具有：半导体层，与半导体层对置的栅电极，栅电极与半导体层之间的栅极绝缘膜，和与半导体层电连接的源·漏电极。第一布线层设置在第一基板上的周边区域且与晶体管电连接，并且配置在比与晶体管的栅电极和源·漏电极同层的位置更靠近第一基板的位置。第二布线层设置在第一基板上，并且具有与第一布线层的电位不同的电位。绝缘膜设置在第二布线层与第一布线层之间。