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公开(公告)号：CN111886675A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201880091453.6
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 基板处理装置在支承于升降部的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有狭缝板(31)。21个狭缝(33)的与中央区域(ARC)的宽度(WD1)相比，第一外区域(AR1)以及第二外区域(AR2)中的宽度(WD2、WD3)被设为更大。因此，在从一对喷出管(7)供给的、在中央区域(ARC)沿基板(W)面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板(31)通过而向基板(W)侧上升时，其动量被削弱。因此，能够缓和基板(W)面附近的处理液的流动的差异，能够在基板(W)面内形成速度差很小的整流。
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公开(公告)号：CN114695185A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111570262.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置具备：旋转夹盘，保持衬底；及流体喷嘴，与保持在所述旋转夹盘的衬底的主面对向配置。所述流体喷嘴包含：气体喷出口，从所述衬底的主面的中心侧朝周缘侧放射状喷出气体；及气体流路，对所述气体喷出口供给气体，且具有沿相对于所述衬底的主面交叉的方向的筒形状。所述气体流路具有：气体积存部，流路剖面积大于所述气体流路中的其它部位；及整流构造，在所述气体流路中设置在与所述气体积存部不同的部分，将所述气体流路内的气流整流。
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公开(公告)号：CN114242613A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111056125.2
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理装置及衬底处理方法。衬底处理装置(1)具备：筒状护罩(53A)，接住从衬底(W)向外侧飞溅的液体；腔室(12)，包围护罩(53A)；间隔板(81)，将腔室(12)内的护罩(53A)周围的空间上下隔开；以及排气管，将护罩(53A)内侧的气体与间隔板(81)下侧的气体吸引到在腔室(12)内配置在比间隔板(81)更靠下方的上游端内，并排出到腔室(12)的外部。间隔板(81)包含：外周端(81o)，从腔室(12)的内周面(12i)向内侧离开；以及内周端，包围护罩(53A)。护罩升降单元通过使护罩(53A)升降，而改变从间隔板(81)的内周端(内周面(83i))到护罩(53A)的最短距离。
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公开(公告)号：CN114078726A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110948078.6
申请日：2021-08-18
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明能够抑制不均匀地向在贮存于处理槽中的处理液中浸渍的基板供给处理液以提高处理品质。具有：抑制部，在由基板保持部保持的基板与处理液喷出部之间，遮挡从处理液喷出部喷出并且朝向基板的处理液的液流的至少一部分，来抑制从处理液喷出部向基板直接供给处理液；处理液喷出部，设置于由基板保持部保持的基板的下方侧，从处理液喷出口朝向贮存空间的内底面喷出处理液；以及气泡供给部，设置于由基板保持部保持的基板的下方侧且处理液喷出口的上方侧，向贮存于贮存空间的处理液供给气泡。在铅垂方向上的气泡供给部与处理液喷出口之间，将经由贮存空间的内底面向上方流动的处理液的至少一部即分流对象液的液流分流成多个上升流，向基板引导。
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公开(公告)号：CN113496923B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202110365256.2
申请日：2021-04-01
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种在利用处理流体在腔室内对基板进行处理的基板处理装置中，能够有效防止杂质对基板的污染，并良好地进行处理的技术。在腔室(100)内设置有从腔室外接收处理流体并将其导入处理空间的导入流路(17)。导入流路经由截面形状与由处理空间(SP)的壁面与支撑托盘(15)之间的间隙形成的间隔空间的截面形状大致一致的流路(173)、(177)供给处理流体。通过了处理空间的处理流体排出至宽度大于或等于处理空间的缓冲空间(182)、(186)，进一步经由在宽度方向上的缓冲空间的两端部连接的排出流路(183)、(187)向腔室外排出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111886675B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201880091453.6
申请日：2018-11-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 基板处理装置在支承于升降部的基板W的下方与处理槽1的底面之间具有狭缝板(31)。21个狭缝(33)的与中央区域(ARC)的宽度(WD1)相比，第一外区域(AR1)以及第二外区域(AR2)中的宽度(WD2、WD3)被设为更大。因此，在从一对喷出管(7)供给的、在中央区域(ARC)沿基板(W)面上升的处理液的流动性强的液流从狭缝板(31)通过而向基板(W)侧上升时，其动量被削弱。因此，能够缓和基板(W)面附近的处理液的流动的差异，能够在基板(W)面内形成速度差很小的整流。
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公开(公告)号：CN112151409A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010579435.1
申请日：2020-06-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其利用超临界状态的处理流体处理基板的表面，保护基板不受由流路内的处理流体的局部气化引起的压力变动的影响。在利用超临界状态的处理流体处理基板(S)的表面的基板处理装置(1)中，包括：腔室框体(10)，在内部设置有能够收容基板的处理空间(SP)、以及从外部接受处理流体并将处理流体引导到处理空间的流路(17)；以及流体供给部(57)，将处理流体压送到流路中，且在流路中设置有多个使处理流体的流通方向变化的弯曲部。
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公开(公告)号：CN112151408A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010579434.7
申请日：2020-06-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 沿着处理对象的基板表面形成稳定的处理流体的层流，从而效率良好地处理基板。本发明是一种基板处理装置，利用处理流体处理基板的表面，其包括：支撑托盘，在平板的上表面设置有收容基板的凹部；收纳容器，形成有与支撑托盘的外形对应的形状且顶面为水平面的空洞，且能够将支撑托盘以水平姿势收纳于空洞内的内部空间；以及流体供给部，向空洞供给处理流体，收纳容器具有流路，所述流路接受从流体供给部供给的处理流体并从在空洞的侧壁面面向空洞而开口的排出口向空洞内沿水平方向排出处理流体，上下方向上的排出口的下端位置与收纳在空洞内的支撑托盘的上表面的位置相同或者比其更靠上方。
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公开(公告)号：CN116783686A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180087813.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板处理装置以及基板处理方法，在腔室内的处理空间通过超临界状态的处理流体对基板进行处理，在腔室内比基板更靠下方的位置，配置对腔室内进行加热的加热器，将基板搬入至处理空间，并通过加热器进行加热，在将处理流体供给至处理空间并通过超临界状态的处理流体充满处理空间后，将处理流体从处理空间排出。针对从超临界状态的处理流体被导入至处理空间时起的规定的期间，使加热停止。能够一边将腔室内维持为适合超临界处理的温度，一边抑制成为乱流的原因的处理流体的温度变化，从而能够良好地进行对于基板的超临界处理。
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公开(公告)号：CN115938981A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211141533.2
申请日：2022-09-20
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种衬底处理方法及衬底处理装置。衬底处理方法是通过衬底处理装置(100)来执行的。衬底处理装置(100)具备处理槽(110)、及配置在处理槽(110)的内部的气泡供给管(21)。衬底处理方法中，衬底保持部(120)将衬底(W)浸渍于处理槽(110)中所贮存的碱性处理液(LQ)中。气泡供给部(200)在衬底(W)浸渍于碱性处理液(LQ)中的状态下，从衬底(W)的下方对碱性处理液(LQ)，从设置在气泡供给管(21)的多个气泡孔(G)的各者供给气泡(BB)。
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