层叠方法及层叠装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103129076B

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201210336231.0

    申请日:2012-08-29

    IPC分类号: B32B37/00 B32B37/10 H01L21/67

    摘要: 本发明提供一种层叠方法及层叠装置。以简单的结构,至少使薄膜状层叠体贯通并可靠地层叠在被层叠体的具有突部的面上,不产生空隙而以均匀的厚度成形。层叠装置具备:加热机构(1、2),至少将绝缘性树脂薄膜(F)加热;上盘(3)、下盘(4),可开闭地设置,在关闭时形成密闭的腔体(34);有弹性的承接部件(5),设在上盘上,与叠合在半导体晶片(W)的形成有凸块(B)的一侧的绝缘性树脂薄膜对置;弹性膜体(6),设在下盘上,与叠合着绝缘性树脂薄膜的半导体晶片对置;抽真空机构(7),将腔体内抽真空;加压机构(8),使弹性膜体膨胀,将半导体晶片和绝缘性树脂薄膜在与承接部件之间加压。

    层叠方法及层叠装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103129076A

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201210336231.0

    申请日:2012-08-29

    IPC分类号: B32B37/00 B32B37/10 H01L21/67

    摘要: 本发明提供一种层叠方法及层叠装置。以简单的结构,至少使薄膜状层叠体贯通并可靠地层叠在被层叠体的具有突部的面上,不产生空隙而以均匀的厚度成形。层叠装置具备:加热机构(1、2),至少将绝缘性树脂薄膜(F)加热;上盘(3)、下盘(4),可开闭地设置,在关闭时形成密闭的腔体(34);有弹性的承接部件(5),设在上盘上,与叠合在半导体晶片(W)的形成有凸块(B)的一侧的绝缘性树脂薄膜对置;弹性膜体(6),设在下盘上,与叠合着绝缘性树脂薄膜的半导体晶片对置;抽真空机构(7),将腔体内抽真空;加压机构(8),使弹性膜体膨胀,将半导体晶片和绝缘性树脂薄膜在与承接部件之间加压。

    真空层叠装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100563984C

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200710110374.9

    申请日:2007-06-15

    IPC分类号: B29C43/56 B29C43/20 B29C43/18

    摘要: 提供一种真空层叠装置,其具有劣化少的加压膜体且结构简易。真空层叠装置(25)具有相对置且可接近远离的上盘(6)及下盘(17),上述上盘(6)及/或下盘(17)接近时,在设于上述上盘(6)或下盘(17)的任一方的对置面的加压膜体(8)与另一方的对置面之间形成的真空腔内,借助上述加压膜体(8)加压成形材料(7)并将上述成形材料(7)加热而使其层叠成形,其特征在于,上述加压膜体(8)由弹性体构成,其中央部(24)的硬度比周边部(22)的硬度低。

    真空层叠装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101092057A

    公开(公告)日:2007-12-26

    申请号:CN200710110374.9

    申请日:2007-06-15

    IPC分类号: B29C43/56 B29C43/20 B29C43/18

    摘要: 提供一种真空层叠装置,其具有劣化少的加压膜体且结构简易。真空层叠装置(25)具有相对置且可接近远离的上盘(6)及下盘(17),上述上盘(6)及/或下盘(17)接近时,在设于上述上盘(6)或下盘(17)的任一方的对置面的加压膜体(8)与另一方的对置面之间形成的真空腔内,借助上述加压膜体(8)加压成形材料(7)并将上述成形材料(7)加热而使其层叠成形,其特征在于,上述加压膜体(8)由弹性体构成,其中央部(24)的硬度比周边部(22)的硬度低。