公开(公告)号：CN1815712A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510134192.6

申请日：2005-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石塚章広 ,  岡本悟 ,  物江滋春 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/00 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/5092

Abstract: 本发明的目的是制造防止因透明导电膜和蚀刻气体起反应而引起产生微小灰尘，具有良好特性的半导体器件。本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其中，形成透明导电膜，在所述透明导电膜上形成第一导电膜，在所述第一导电膜上形成第二导电膜，用含有氯的气体蚀刻所述第二导电膜，用含有氟的气体蚀刻所述第一导电膜。当用含有氯的气体蚀刻第二导电膜时，透明导电膜被第一导电膜保护，并当含有氟的气体蚀刻第一导电膜时，透明导电膜和含有氟的气体不会起反应，因此，不会产生灰尘。

公开(公告)号：CN100490117C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510134192.6

申请日：2005-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石塚章広 ,  岡本悟 ,  物江滋春 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/32136 ,  C23F4/00 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/5092

Abstract: 本发明的目的是制造防止因透明导电膜和蚀刻气体起反应而引起产生微小灰尘，具有良好特性的半导体器件。本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其中，形成透明导电膜，在所述透明导电膜上形成第一导电膜，在所述第一导电膜上形成第二导电膜，用含有氯的气体蚀刻所述第二导电膜，用含有氟的气体蚀刻所述第一导电膜。当用含有氯的气体蚀刻第二导电膜时，透明导电膜被第一导电膜保护，并当含有氟的气体蚀刻第一导电膜时，透明导电膜和含有氟的气体不会起反应，因此，不会产生灰尘。