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公开(公告)号:CN1316777A
公开(公告)日:2001-10-10
申请号:CN01119032.9
申请日:2001-04-04
Applicant: 株式会社东金
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2224/274 , H01L2924/01019 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011
Abstract: 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路,在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。
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公开(公告)号:CN1324090A
公开(公告)日:2001-11-28
申请号:CN01119208.9
申请日:2001-04-04
Applicant: 株式会社东金
CPC classification number: H01J11/12 , C03C17/22 , C03C17/245 , C03C2217/217 , C03C2217/23 , C03C2217/281 , C03C2217/285 , C03C2218/15 , C03C2218/154 , H01J11/44 , H01J29/867 , H01J2211/446 , H01J2329/869
Abstract: 在具有显示窗(73,81,93)的显示器件(70,70A,80-80G,90-90F)中,至少在显示窗的部分主表面上形成磁损耗层(75,75A,88-88C,97-97C)。磁损耗层可以是粒状磁性薄层,例如由包括M、X和Y的磁性组合物的磁性物质制成,其中M是由Fe、Co和/或Ni构成的金属磁性材料,X是除M和Y之外的元素,Y是F、N和/或O。形成的磁损耗层可以是从垫片状、格状、带状和点状中选出的任一种形状,该磁损耗层可以形成为网状。
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