公开(公告)号：CN1316777A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01119032.9

申请日：2001-04-04

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 吉田荣吉 ,  小野裕司 ,  栗仓由夫 ,  根本道夫 ,  山中英二 ,  山口正洋 ,  岛田宽

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/58 ,  H01F41/14 ,  H01F1/047 ,  H01L27/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/3011

Abstract: 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。