公开(公告)号：CN1316777A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01119032.9

申请日：2001-04-04

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 吉田荣吉 ,  小野裕司 ,  栗仓由夫 ,  根本道夫 ,  山中英二 ,  山口正洋 ,  岛田宽

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/58 ,  H01F41/14 ,  H01F1/047 ,  H01L27/04 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/3011

Abstract: 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。

公开(公告)号：CN1316775A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01116565.0

申请日：2001-04-04

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 吉田荣吉 ,  栗仓由夫 ,  小野裕司

IPC: H01L23/34 ,  H05K7/20

CPC classification number: H01L23/66 ,  H01L23/36 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 在用于散发电子元件所产生热量的散热器(1)中，高频电流抑制器(2)粘附在散热器的面朝电子元件的主表面上。所述高频电流抑制器用于衰减流经所述散热器且频率在几十MHz和几GHz之间频带内的高频电流。最好在所述高频电流抑制器上形成导热片。还可在所述高频电流抑制器上形成绝缘片。

公开(公告)号：CN1318849A

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：CN01116699.1

申请日：2001-04-17

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 渡边真也 ,  龟井浩二 ,  栗仓由夫

IPC: H01F10/00 ,  H01L23/58

CPC classification number: H05K9/0083 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0233 ,  Y10S428/90 ,  Y10S428/928 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00

Abstract: 为了提供一种表现出显著高频磁损耗特性、能极为有效地消除来自非常密集地集成的电子微电路如半导体集成周边器件的高频传输噪声的磁损耗材料,及其制造方法和所用到的高频电流抑制体,本发明是一种片状、包括在磁性薄膜(19)的至少一个表面上的粘性层或压敏粘性层(23)的高频电流抑制体。这种磁性薄膜是包括M－X－Y的磁损耗材料,其中,M为Fe,Co和Ni中的至少一种,X为不同于M或Y的至少一种元素,而Y为F,N和O中的至少一种。

公开(公告)号：CN1316373A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01116568.5

申请日：2001-04-04

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 栗仓由夫 ,  龟井浩二 ,  白鸟聪

IPC: B65D85/86 ,  H05K9/00

CPC classification number: H05K9/0049 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/007 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1617 ,  H01L2924/3011 ,  H05K9/0088 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种在金属盒中包括电子电路或电路元件的电子部件(11)，其金属盒内表面的至少一部分具有由磁性损耗材料构成的磁性薄膜(51)。磁性损耗材料的组成物由M－X－Y表示，M为Fe、Co和Ni中的至少一个，X为除M和Y外的元素中的至少一个，Y为N、F和O中的至少一个。复磁导率特性中虚部μ”的最大值在100MHz－10GHz的频率范围内出现，相对带宽不大于200%。有可能提供包括高速操作型半导体器件和/或电子电路的电子部件并且不期望的辐射得到减小。

公开(公告)号：CN1316748A

公开(公告)日：2001-10-10

申请号：CN01116371.2

申请日：2001-04-04

Applicant: 株式会社东金

Inventor： 小野裕司 ,  栗仓由夫

IPC: H01B11/00

CPC classification number: H01B11/1083

Abstract: 一种信号传输电缆(10)包括用于传输信号的导体部分和覆盖所述导体部分的绝缘体外鞘(14)，形成在所述绝缘外鞘的至少部分外表面上的高损耗磁膜(15)。所述高损耗磁膜在0.1－10GHz的频率范围有最大的复磁导率μ”max。所述高损耗磁膜的磁性混合物是包括M、X和Y的M－X－Y磁性混合物，其中M是由Fe,Co和/或Ni组成的金属磁性材料，X是M和Y之外的元素，Y是F、N和/或O，所述M－X－Y磁性混合物中M的含量使得所述M－X－Y磁性混合物的饱和磁化强度是只包含M的磁性材料的体材料的饱和磁化强度的35－80%。