公开(公告)号：CN117747674A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202211696692.9

申请日：2022-12-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 足达优人 ,  堀阳一 ,  水上诚

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/16 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48

Abstract: 实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，配置在所述第一电极上；第二导电型的第二半导体层，配置在所述第一半导体层上的一部分；金属层，配置在所述第一半导体层上及所述第二半导体层上，与所述第一半导体层肖特基接合；第二电极，配置在所述金属层上；接合部件，与所述第二电极的上表面连接；以及导电部件，配置在所述第二半导体层与所述金属层之间，由与所述金属层的材料不同的材料构成，所述接合部件的正下方区域中的面积比例高于除了所述正下方区域以外的区域中的面积比例。

公开(公告)号：CN119817186A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202480003838.8

申请日：2024-02-15

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 足达优人 ,  水上诚 ,  窟阳一

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50 ,  H10D64/01 ,  H10D64/64

Abstract: 提供一种能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一电极、第一导电部件、第一导电型的第一半导体区域及第二导电型的第二半导体区域。第一半导体区域设置在第一电极与第一导电部件之间。第一半导体区域包括第一～第三部分区域。第一半导体区域以及第一导电部件进行肖特基接触。第二半导体区域包含沿着第一方向延伸的多个第一部分、沿着第二方向延伸的多个第二部分、及第三部分。第三部分设置于多个第二部分的周围，与多个第二部分连续。第一部分区域设置在第一电极与多个第一部分之间以及第一电极与第二部分区域之间。第二部分区域设置在多个第一部分中的一个与多个第一部分中的另一个之间。