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公开(公告)号：CN102034914A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010129790.5
申请日：2010-03-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48247 , H01L2924/01019 , H01L2924/1815
Abstract: 本发明提供一种发光装置，该发光装置具有：第一引线，该第一引线具有粘接区域，并具有相对于第一方向大致平行地延伸的第一外缘；发光元件，该发光元件与上述粘接区域粘接；第二引线，该第二引线具有连接到上述发光元件的电连接区域；成型体，该成型体具有相对于上述第一方向大致垂直的第一侧面、设置于上述第一侧面的相反侧并相对于上述第一方向大致垂直的第二侧面、下面、和设置于上述下面的相反侧的面的凹部，上述成型体以如下方式形成，上述第一引线的一方的端部从上述第一侧面突出，上述第一引线的另一方的端部和上述第二引线的端部分别从上述第二侧面突出，上述粘接区域以及上述电连接区域在上述凹部的底面露出；其特征在于，上述第一引线的上述一方的端部和上述第二引线的上述端部分别向下方弯曲，上述第一引线的上述另一方的端部，向上方或向下方弯曲，越过上述粘接区域并在相对于上述第一方向垂直的第二方向上的上述第一引线的宽度，比上述一方的端部的宽度窄，比上述另一方的端部的宽度宽。
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公开(公告)号：CN106058005A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610141800.4
申请日：2016-03-11
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/60 , H01L33/486 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0066 , H01L2924/00014 , H01L33/48 , H01L33/005
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够提高生产性的半导体发光装置及其制造方法。根据实施方式，半导体发光装置包含第1金属部件、半导体发光元件以及绝缘层。所述第1金属部件包含含有铜的第1金属板以及含有银的第1金属层。所述第1金属层配置在所述半导体发光元件与所述第1金属板之间。所述绝缘层包含氧化硅。所述第1金属板具有与相对于从所述第1金属层朝向所述半导体发光元件的第1方向垂直的平面交叉的第1金属板侧面。所述绝缘层与所述第1金属板侧面相接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104934520A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410446953.0
申请日：2014-09-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L25/167 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明所要解决的问题在于提供一种可以提高光提取效率的半导体发光装置。本发明的半导体发光装置其特征在于包括：发光元件；含有荧光体的树脂，其设置在所述发光元件上；透明树脂，其设置在所述发光元件与所述含有荧光体的树脂之间，且与所述含有荧光体的树脂的下表面整体接触；及透镜，其设置在所述含有荧光体的树脂上。
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公开(公告)号：CN106410020A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610140817.8
申请日：2016-03-11
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式提供一种使光的提取效率提高的半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置包含：半导体发光芯片，包含半导体层；透明膜，设置在所述半导体层上；及荧光体树脂层，设置在所述透明膜上且包含树脂与荧光体。所述透明膜的折射率比所述半导体层的折射率高。
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公开(公告)号：CN101315966A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810099838.5
申请日：2008-05-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/504 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体器件，其中，半导体发光元件被收纳在具有凹坑的容器的上述凹坑内，在上述凹坑内，第一荧光体层的至少一部分被设置在上述半导体发光元件与上述凹坑的开口之间。在上述凹坑内，设置有具有比上述半导体发光元件还要位于上述凹坑的底面侧的第一部分以及位于上述凹坑的侧面侧的第二部分的第二荧光体层。上述第一荧光体层借助于来自上述半导体发光元件的光而被激励，并发出比上述半导体发光元件的发光波长还长的第一波长的光。上述第二荧光体层借助于来自上述半导体发光元件的光而被激励，并发出比上述第一波长还长的第二波长的光。
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公开(公告)号：CN105428511A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510556155.8
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L25/167 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/8592 , H01L2224/85951 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及一种半导体发光装置及导线架。根据实施方式，半导体发光装置包括导线架、芯片、壁部及荧光体层。所述芯片搭载在所述导线架上，且具有衬底、及设置在所述衬底上的发光元件。所述壁部具有与所述芯片的侧部对向的内壁、及所述内壁的相反侧的外壁。所述荧光体层至少设置在所述芯片上。所述芯片的所述侧部与所述壁部的所述内壁之间的距离小于所述芯片的厚度。所述导线架的上表面与所述内壁所成的角小于所述导线架的所述上表面与所述外壁所成的角。
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公开(公告)号：CN101315966B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810099838.5
申请日：2008-05-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/504 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种光半导体器件，其中，半导体发光元件被收纳在具有凹坑的容器的上述凹坑内，在上述凹坑内，第一荧光体层的至少一部分被设置在上述半导体发光元件与上述凹坑的开口之间。在上述凹坑内，设置有具有比上述半导体发光元件还要位于上述凹坑的底面侧的第一部分以及位于上述凹坑的侧面侧的第二部分的第二荧光体层。上述第一荧光体层借助于来自上述半导体发光元件的光而被激励，并发出比上述半导体发光元件的发光波长还长的第一波长的光。上述第二荧光体层借助于来自上述半导体发光元件的光而被激励，并发出比上述第一波长还长的第二波长的光。
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