公开(公告)号：CN103022127A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210068356.X

申请日：2012-03-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田浩史 ,  角保人 ,  木村淑 ,  铃木纯二 ,  入船裕行 ,  斋藤涉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明的实施方式的功率用半导体装置具备第1导电类型的第1半导体层、高电阻的外延层、第2导电类型的第2半导体层、第1导电类型的第3半导体层、栅电极、第1电极、以及第2电极。高电阻的外延层具有第1柱区域和第2柱区域。第1柱区域具有交替排列的多个第1导电类型的第1柱和多个第2导电类型的第2柱。第2柱区域在第1柱区域侧的一端中具有第3柱，在另一端中具有第4柱。第3柱的实质的杂质量比第1柱的实质的杂质量以及第2柱的实质的杂质量还少，比第4柱的实质的杂质量还多。

公开(公告)号：CN102420249A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201110277860.6

申请日：2011-09-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田浩史 ,  角保人 ,  木村淑 ,  铃木纯二 ,  入船裕行 ,  斋藤涉 ,  小野升太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种功率半导体装置，在第一导电型的第一半导体层(1)的第一表面上，相邻接地包括第一柱区域(6)、第二柱区域(10)、及第一导电型的外延层(3)。第一柱区域(6)具有交替配置的多个第二导电型的第一柱层(4)及多个第一导电型的第二柱层(5)，多个第二导电型的第一基极层(11)相隔开地连接在多个第一柱层(4)的各个之上。第二柱区域(10)相邻接地具有第二导电型的第三柱层(7)、第一导电型的第四柱层(8)、及第二导电型的第五柱层(9)。多个第二导电型的第二基极层(12)相隔开地连接在第三柱层及第五柱层的各个之上。多个源极层选择性地形成在多个第一基极层各自的表面。

公开(公告)号：CN103022129A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210309467.5

申请日：2012-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入船裕行 ,  斋藤涉 ,  角保人 ,  木村淑 ,  大田浩史 ,  铃木纯二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种提高了耐压的半导体装置及其制造方法。第1半导体层具有多个第1扩散层。第2半导体层具有多个第2扩散层。第3半导体层具有多个第3扩散层。多个第1扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第1扩散层内的杂质量随着从第1半导体层的下端向上端而逐渐变大。多个第2扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第2扩散层内的杂质量相互相同。多个第3扩散层的第1方向的宽度比处于同一层的第1扩散层的第1方向的宽度以及第2扩散层的第1方向的宽度窄，并且随着从第3半导体层的下端向上端而逐渐变窄。多个第3扩散层内的杂质量相互相同。

公开(公告)号：CN1866506B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200610084752.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一 ,  角保人 ,  足立克之

IPC: H01L23/52

CPC classification number: H01L23/4824 ,  H01L21/823475 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件，具有多个半导体元件和将这些半导体元件并联的第一布线及第二布线，其特征在于，上述第一布线及第二布线具有多个布线层；各布线层将上述第一布线及第二布线交替且平行地形成而构成；在邻接的布线层之间，上述布线相互交叉地形成，并且，在上述第一布线的交叉部及上述第二布线的交叉部，分别用层间连接部连接上述第一布线彼此及上述第二布线彼此。

公开(公告)号：CN1866506A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610084752.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一 ,  角保人 ,  足立克之

IPC: H01L23/52

CPC classification number: H01L23/4824 ,  H01L21/823475 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件，具有多个半导体元件和将这些半导体元件并联的第一布线及第二布线，其特征在于，上述第一布线及第二布线具有多个布线层；各布线层将上述第一布线及第二布线交替且平行地形成而构成；在邻接的布线层之间，上述布线相互交叉地形成，并且，在上述第一布线的交叉部及上述第二布线的交叉部，分别用层间连接部连接上述第一布线彼此及上述第二布线彼此。

公开(公告)号：CN102694028B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210051614.3

申请日：2012-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田浩史 ,  角保人 ,  木村淑 ,  铃木纯二 ,  入船裕行

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712

Abstract: 实施方式的电力用半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(1)；设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3)；设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4)；设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5)；多个第1导电型的第5半导体层(6)；多个第2导电型的第6半导体层(8)；栅电极(11)；层间绝缘膜(12)；第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘，且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。

公开(公告)号：CN103022129B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210309467.5

申请日：2012-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入船裕行 ,  斋藤涉 ,  角保人 ,  木村淑 ,  大田浩史 ,  铃木纯二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种提高了耐压的半导体装置及其制造方法。第1半导体层具有多个第1扩散层。第2半导体层具有多个第2扩散层。第3半导体层具有多个第3扩散层。多个第1扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第1扩散层内的杂质量随着从第1半导体层的下端向上端而逐渐变大。多个第2扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第2扩散层内的杂质量相互相同。多个第3扩散层的第1方向的宽度比处于同一层的第1扩散层的第1方向的宽度以及第2扩散层的第1方向的宽度窄，并且随着从第3半导体层的下端向上端而逐渐变窄。多个第3扩散层内的杂质量相互相同。

公开(公告)号：CN102420249B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201110277860.6

申请日：2011-09-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田浩史 ,  角保人 ,  木村淑 ,  铃木纯二 ,  入船裕行 ,  斋藤涉 ,  小野升太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种功率半导体装置，在第一导电型的第一半导体层(1)的第一表面上，相邻接地包括第一柱区域(6)、第二柱区域(10)、及第一导电型的外延层(3)。第一柱区域(6)具有交替配置的多个第二导电型的第一柱层(4)及多个第一导电型的第二柱层(5)，多个第二导电型的第一基极层(11)相隔开地连接在多个第一柱层(4)的各个之上。第二柱区域(10)相邻接地具有第二导电型的第三柱层(7)、第一导电型的第四柱层(8)、及第二导电型的第五柱层(9)。多个第二导电型的第二基极层(12)相隔开地连接在第三柱层及第五柱层的各个之上。多个源极层选择性地形成在多个第一基极层各自的表面。

公开(公告)号：CN102403357B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201110254492.3

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村淑 ,  角保人 ,  大田浩史 ,  入船裕行

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 实施方式的功率用半导体装置具备第一导电型的第一半导体层(1)、第一漂移层(5)、第二漂移层(8)、第一电极(24)、和第二电极(25)，具有在第一电极(24)与第二电极(25)之间流过电流的元件部、和其外周的末端部。第一漂移层(5)具有在元件部中在第一方向上交替地配置的第1第一导电型柱层(3)和第1第二导电型柱层(4)，在末端部中具有第一外延层(2)。第二漂移层(8)在第二外延层(8)中的元件部和末端部中，具有沿着第一方向离开配置的第2及第3第二导电型柱层(7、7a)，将被它们分别所夹的第二外延层(8)分别作为第2及第3第一导电型柱层(6、6a)。

公开(公告)号：CN102694028A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210051614.3

申请日：2012-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田浩史 ,  角保人 ,  木村淑 ,  铃木纯二 ,  入船裕行

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712

Abstract: 实施方式的电力用半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(1)；设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3)；设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4)；设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5)；多个第1导电型的第5半导体层(6)；多个第2导电型的第6半导体层(8)；栅电极(11)；层间绝缘膜(12)；第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘，且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。