公开(公告)号：CN1267915A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00104074.X

申请日：2000-03-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 间愽顕 ,  磯边和亚树 ,  山田诚司 ,  松井法晴 ,  森诚一 ,  谷本正男

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 非易失性半导体存储装置,在填埋STI槽之前,比存储单元部分更大地形成周边电路部分的元件区上端部的鸟嘴氧化膜。具体地讲,在加入鸟嘴的氧化工艺之前,首先形成周边电路部分的STI槽,预先较大地形成周边电路元件区端部的鸟嘴。或者在周边电路部分的STI侧壁上形成氮氧化膜,防止氧化膜腐蚀时的侧壁绝缘膜的膜减少。防止形成非易失性存储器周边电路部分中的寄生晶体管,抑制了待机时的消耗电流。

公开(公告)号：CN1181552C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN01133826.1

申请日：2001-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井法晴 ,  森诚一 ,  白田理一郎 ,  竹内祐司 ,  上垣内岳司

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/112 ,  H01L29/76 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11543 ,  H01L29/7887

Abstract: 选择门区的半导体装置设有：半导体层；形成于半导体层上的第1绝缘膜；形成于第1绝缘膜上的第1电极层；由贯通第1电极层及第1绝缘膜直达半导体层内形成的元件分离绝缘膜构成的元件分离区，元件分离区分离了元件区，与第1电极层自动匹配地形成元件分离区；形成于第1电极层及元件分离区上的第2绝缘膜，第2绝缘膜具有使第1电极层表面露出的开口部；形成于第2绝缘膜上及第1电极层中被露出的表面上的第2电极层，第2电极层通过开口部与第1电极层电连接。

公开(公告)号：CN1354521A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01133826.1

申请日：2001-09-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井法晴 ,  森诚一 ,  白田理一郎 ,  竹内祐司 ,  上垣内岳司

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/112 ,  H01L29/76 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11543 ,  H01L29/7887

Abstract: 选择门区的半导体装置设有:半导体层;形成于半导体层上的第1绝缘膜;形成于第1绝缘膜上的第1电极层;由贯通第1电极层及第1绝缘膜直达半导体层内形成的元件分离绝缘膜构成的元件分离区,元件分离区分离了元件区,与第1电极层自动匹配地形成元件分离区;形成于第1电极层及元件分离区上的第2绝缘膜,第2绝缘膜具有使第1电极层表面露出的开口部;形成于第2绝缘膜上及第1电极层中被露出的表面上的第2电极层,第2电极层通过开口部与第1电极层电连接。