公开(公告)号：CN1162844A

公开(公告)日：1997-10-22

申请号：CN97103034.0

申请日：1997-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷本正男 ,  森诚一

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517

Abstract: 在二层以上的栅极电极构造的上层栅极中应用多晶硅与高熔点金属或其硅化物的复合构造的栅极电极的半导体存储器中，防止因热处理时的应力集中，在高熔点金属或其硅化物层表面凹部产生裂缝。解决方法是在淀积高熔点金属或其硅化物层之前，与衬底的凹凸无关地使其下层的多晶硅平坦化，以此，平坦地淀积高熔点金属或其硅化物层，防止热处理时产生的应力集中部位的产生。

公开(公告)号：CN1087500C

公开(公告)日：2002-07-10

申请号：CN97103034.0

申请日：1997-03-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷本正男 ,  森诚一

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66825 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11517

Abstract: 在2层以上的栅极电极构造的上层栅极中应用多晶硅与高熔点金属或其硅化物的复合构造的栅极电极的半导体存储器中，防止因热处理时的应力集中，在高熔点金属或其硅化物层表面凹部产生裂缝。解决方法是在淀积高熔点金属或其硅化物层之前，与衬底的凹凸无关地使其下层的多晶硅平坦化，以此，平坦地淀积高熔点金属或其硅化物层，防止热处理时产生的应力集中部位的产生。

公开(公告)号：CN1267915A

公开(公告)日：2000-09-27

申请号：CN00104074.X

申请日：2000-03-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 间愽顕 ,  磯边和亚树 ,  山田诚司 ,  松井法晴 ,  森诚一 ,  谷本正男

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 非易失性半导体存储装置,在填埋STI槽之前,比存储单元部分更大地形成周边电路部分的元件区上端部的鸟嘴氧化膜。具体地讲,在加入鸟嘴的氧化工艺之前,首先形成周边电路部分的STI槽,预先较大地形成周边电路元件区端部的鸟嘴。或者在周边电路部分的STI侧壁上形成氮氧化膜,防止氧化膜腐蚀时的侧壁绝缘膜的膜减少。防止形成非易失性存储器周边电路部分中的寄生晶体管,抑制了待机时的消耗电流。