公开(公告)号：CN1354522A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01145624.8

申请日：2001-10-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部浩 ,  成毛清美 ,  增田和纪

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11546 ,  Y10S257/90

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括:第一晶体管,具有在半导体衬底上形成的第一栅极、在该第一栅极周围形成的第一低浓度扩散层、在该第一低浓度扩散层的周围形成的第一高浓度扩散层、在该第一栅极周围形成的第一栅极侧壁;第二晶体管,具有在半导体衬底上形成的第二栅极、在该第二栅极周围形成的第二低浓度扩散层、在该第二低浓度扩散层的周围形成的第二高浓度扩散层、在该第二栅极周围形成的厚度与第一晶体管的第一栅极侧壁相同的第二栅极侧壁,第二低浓度扩散层从第二栅极至第二高浓度扩散层的尺寸大于第一低浓度扩散层从第一栅极至第一高浓度扩散层的尺寸。

公开(公告)号：CN1181554C

公开(公告)日：2004-12-22

申请号：CN01145624.8

申请日：2001-10-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部浩 ,  成毛清美 ,  增田和纪

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11546 ,  Y10S257/90

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：第一晶体管，具有在半导体衬底上形成的第一栅极、在该第一栅极周围形成的第一低浓度扩散层、在该第一低浓度扩散层的周围形成的第一高浓度扩散层、在该第一栅极周围形成的第一栅极侧壁；第二晶体管，具有在半导体衬底上形成的第二栅极、在该第二栅极周围形成的第二低浓度扩散层、在该第二低浓度扩散层的周围形成的第二高浓度扩散层、在该第二栅极周围形成的厚度与第一晶体管的第一栅极侧壁相同的第二栅极侧壁，第二低浓度扩散层从第二栅极至第二高浓度扩散层的尺寸大于第一低浓度扩散层从第一栅极至第一高浓度扩散层的尺寸。