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公开(公告)号:CN107785139A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201710100539.8
申请日:2017-02-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02K1/02 , B60L2200/26 , B60L2220/10 , H01F1/055 , H01F1/0557 , H02K7/1823 , H01F1/0551
Abstract: 本发明提高磁铁材料的饱和磁化强度。磁铁材料是以组成式1:(R1-xYx)aMbTc表示的磁铁材料,具有由ThMn12型晶相构成的主相。组成式1的M元素的30原子%以上是Fe。
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公开(公告)号:CN112752824B
公开(公告)日:2022-11-04
申请号:CN201980063190.2
申请日:2019-09-26
Abstract: 本发明提供在极低温区域中比热大且磁化小、而且制造性良好的蓄冷材料及其制造方法。并且提供填充该蓄冷材料、效率高且冷却性能优异的冷冻机。进而提供能够降低来自蓄冷材料的磁噪声的影响的超导线圈内置装置。实施方式的蓄冷材料为包含ThCr2Si2型结构(11)占到80体积%以上的金属间化合物的粒体,微晶尺寸为70nm以下。
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公开(公告)号:CN107204223A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201610815398.3
申请日:2016-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H02K1/02 , B60L11/02 , B60R16/03 , C22C1/0433 , C22C33/0278 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/18 , C22C38/20 , C22C38/26 , C22C38/28 , C22C38/40 , C22C2202/02 , H01F1/0551 , H01F1/0557 , H01F1/0596 , H02K1/17 , H02K1/27 , H02K7/006 , H02K7/1823
Abstract: 在一个实施方式中,永久磁铁具有如组成式:RNx(CrpSiqM1‑p‑q)z(R为选自Y和稀土类元素中的至少一种元素,M是选自Fe和Co中的至少一种元素,x、p、q和z为原子比例、是满足0.5≦x≦2.0、0.005≦p≦0.2、0.005≦q≦0.2、4≦z≦13的数)所示的组成。永久磁铁的密度在6.5g/cm3以上,将永久磁铁的由粉末X射线衍射而得的来自Th2Zn17相的(303)面的衍射峰强度记为I(303)、来自α‑Fe相的(110)面的衍射峰强度记为I(110)时,满足I(110)/{I(110)+I(303)}≦0.05的关系。
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公开(公告)号:CN115574481A
公开(公告)日:2023-01-06
申请号:CN202211265113.5
申请日:2019-09-26
Abstract: 本发明提供在极低温区域中比热大且磁化小、而且制造性良好的蓄冷材料及其制造方法。并且提供填充该蓄冷材料、效率高且冷却性能优异的冷冻机。进而提供能够降低来自蓄冷材料的磁噪声的影响的超导线圈内置装置。实施方式的蓄冷材料为包含ThCr2Si2型结构(11)占到80体积%以上的金属间化合物的粒体,微晶尺寸为70nm以下。
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公开(公告)号:CN112752824A
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN201980063190.2
申请日:2019-09-26
Abstract: 本发明提供在极低温区域中比热大且磁化小、而且制造性良好的蓄冷材料及其制造方法。并且提供填充该蓄冷材料、效率高且冷却性能优异的冷冻机。进而提供能够降低来自蓄冷材料的磁噪声的影响的超导线圈内置装置。实施方式的蓄冷材料为包含ThCr2Si2型结构(11)占到80体积%以上的金属间化合物的粒体,微晶尺寸为70nm以下。
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公开(公告)号:CN115989389A
公开(公告)日:2023-04-18
申请号:CN202180050831.8
申请日:2021-08-17
IPC: F25B9/14
Abstract: 实施方式的蓄冷材料粒子包含选自由稀土类元素、银(Ag)及铜(Cu)构成的组中的至少一种第一元素和与第一元素不同且在水溶液中形成多价金属离子的第二元素,第二元素的原子浓度为0.001原子%以上且60原子%以下,温度20K以下时的体积比热的最大值为0.3J/cm3·K以上。
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公开(公告)号:CN108347105A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201710817480.4
申请日:2017-09-12
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/0596 , B22F3/16 , B22F9/04 , B22F9/16 , B22F2304/10 , C22C38/001 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/18 , C22C2202/02 , H01F1/086 , H01F7/0231 , H01F41/0266 , H02K1/02 , H01F1/047 , H01F1/0557 , H02K2213/03
Abstract: 本发明抑制永久磁铁的磁化强度的降低和密度的降低。永久磁铁以组成式:RNX(CrpSiqM1-p-q)ZTS表示。永久磁铁包括具有Th2Ni17型、Th2Zn17型和TbCu7型中的至少一种晶体结构的主相,和含有比主相中的R更多的R的副相。
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公开(公告)号:CN107785140A
公开(公告)日:2018-03-09
申请号:CN201710730576.7
申请日:2017-08-23
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01F1/055 , H01F1/0557 , H01F1/0558 , H01F1/0577 , H01F1/0578 , H01F1/058 , H01F1/059 , H02K1/02
Abstract: 本发明提高磁铁材料的饱和磁化强度。磁铁材料是以组成式:(R1-xYx)aMbTcAd表示的磁铁材料,具有由ThMn12型晶相构成的主相。组成式的M元素的30原子%以上是Fe。
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