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公开(公告)号：CN1492510A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03134849.1
申请日：2003-09-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01G4/33
CPC classification number: H01L28/75
Abstract: 本发明提供具备特性和可靠性优异的电容器的半导体器件。本发明的半导体器件是一种具备半导体基板、包括设置在半导体基板的上方的具有金属性的下部电极、具有金属性的上部电极、设置在下部电极与上部电极之间的电介质区域的电容器的半导体器件，电介质区域包括含有从硅、氧、铪和锆中选择的至少一种元素的第1电介质膜。
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公开(公告)号：CN1211825A
公开(公告)日：1999-03-24
申请号：CN98117859.6
申请日：1998-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , G11C11/34
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 在混装FRAM的LSI中,使Pt电极和电容器加工容易,减少形成布线层的工序次数和器件的台阶高度差,使布线变得容易,介质膜特性不退化。本发明具备有埋入到第1绝缘膜挖进的第1槽内使表面平坦化的第1电极3a;在第1绝缘膜上淀积的第2绝缘膜4;对应于第1电极的上部在向第2绝缘膜内挖进的第2槽内依次进行淀积后使表面平坦化的强电介质膜5a和第2电极6a,具有由第1电极、强电介质膜和第2电极构成的强电介质电容器部分。
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公开(公告)号：CN1117436A
公开(公告)日：1996-02-28
申请号：CN95109994.9
申请日：1995-07-11
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 平原修三 , 斋藤勉 , 永户一志 , 板仓哲朗 , 高山晓 , 额田秀记 , 服部俊介 , 工藤纪子 , 齐藤史郎 , 杉内政英 , 东海阳一 , 村上文彦 , 田中久子 , 田沼千秋 , 泉守 , 雨宫功 , 中村敦子 , 清水征三郎 , 奥和田久美
IPC: B41J2/01
CPC classification number: B41J2/14008 , B41J2002/14322
Abstract: 一种喷墨记录装置，它通过借助超声波束的压力使墨滴从墨的表面飞出而将图象记录在记录介质上，包括：超声波发生元件阵列(10)，它具有设置成阵列的至少一个超声波元件，用于发射超声波束；驱动装置(21)，用于施加具有彼此不同的相位的多个脉冲，以通过使从所述超声波发生元件阵列(10)的一部分的所述超声波发生元件发射的所述多个超声波束彼此发生干涉而会聚超声波束；以及，会聚装置(16)，用于会聚所述多个超声波束中的每一个。
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公开(公告)号：CN1158708C
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN98117859.6
申请日：1998-07-17
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242 , G11C11/34
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 在混装FRAM的LSI中，使Pt电极和电容器加工容易，减少形成布线层的工序次数和器件的台阶高度差，使布线变得容易，介质膜特性不退化。本发明具备有埋入到第1绝缘膜挖进的第1槽内使表面平坦化的第1电极(3a)；在第1绝缘膜上淀积的第2绝缘膜(4)；对应于第1电极的上部在向第2绝缘膜内挖进的第2槽内依次进行淀积后使表面平坦化的强电介质膜(5a)和第2电极(6a)，具有由第1电极、强电介质膜和第2电极构成的强电介质电容器部分。
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公开(公告)号：CN1096944C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN95109994.9
申请日：1995-07-11
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 平原修三 , 斋藤勉 , 永户一志 , 板仓哲朗 , 高山晓 , 额田秀记 , 服部俊介 , 工藤纪子 , 齐藤史郎 , 杉内政英 , 东海阳一 , 村上文彦 , 田中久子 , 田沼千秋 , 泉守 , 雨宫功 , 中村敦子 , 清水征三郎 , 奥和田久美
IPC: B41J2/04
CPC classification number: B41J2/14008 , B41J2002/14322
Abstract: 一种喷墨记录装置，它通过借助超声波束的压力使墨滴从墨的表面飞出而将图象记录在记录介质上，包括：超声波发生元件阵列(10)，它具有设置成阵列的至少一个超声波元件，用于发射超声波束；驱动装置(21)，用于施加具有彼此不同的相位的多个脉冲，以通过使从所述超声波发生元件阵列(10)的一部分的所述超声波发生元件发射的所述多个超声波束彼此发生干涉而会聚超声波束；以及，会聚装置(16)，用于会聚所述多个超声波束中的每一个。
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