公开(公告)号：CN1211825A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN98117859.6

申请日：1998-07-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 金谷宏行 ,  日高修 ,  奥和田久美 ,  望月博

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/34

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 在混装FRAM的LSI中,使Pt电极和电容器加工容易,减少形成布线层的工序次数和器件的台阶高度差,使布线变得容易,介质膜特性不退化。本发明具备有埋入到第1绝缘膜挖进的第1槽内使表面平坦化的第1电极3a;在第1绝缘膜上淀积的第2绝缘膜4;对应于第1电极的上部在向第2绝缘膜内挖进的第2槽内依次进行淀积后使表面平坦化的强电介质膜5a和第2电极6a,具有由第1电极、强电介质膜和第2电极构成的强电介质电容器部分。

公开(公告)号：CN1158708C

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN98117859.6

申请日：1998-07-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 金谷宏行 ,  日高修 ,  奥和田久美 ,  望月博

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242 ,  G11C11/34

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 在混装FRAM的LSI中，使Pt电极和电容器加工容易，减少形成布线层的工序次数和器件的台阶高度差，使布线变得容易，介质膜特性不退化。本发明具备有埋入到第1绝缘膜挖进的第1槽内使表面平坦化的第1电极(3a)；在第1绝缘膜上淀积的第2绝缘膜(4)；对应于第1电极的上部在向第2绝缘膜内挖进的第2槽内依次进行淀积后使表面平坦化的强电介质膜(5a)和第2电极(6a)，具有由第1电极、强电介质膜和第2电极构成的强电介质电容器部分。

公开(公告)号：CN1126183C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN96102976.5

申请日：1996-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 望月博 ,  藤井佳苗 ,  舟木英之

IPC: H01L43/06

CPC classification number: H01L43/06 ,  Y10S73/03

Abstract: 一种横向型霍尔器件，它具备有：基板；基板上的第1导电型活性层；把第1导电型活性层围起来的第1个第2导电型半导体层；在第1导电型活性层表面上形成对的高杂质浓度的第1个第1导电型半导体层和第2个第1导电型半导体层；在此一对第1个第1导电型半导体层上的电流供给电极；在此一对第1导电型半导体层上的传感器电极；在上述第1导电型活性层表面上，不同位置上形成的多数个第2个第2导电型半导体层。

公开(公告)号：CN1136714A

公开(公告)日：1996-11-27

申请号：CN96102976.5

申请日：1996-03-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 望月博 ,  藤井佳苗 ,  舟木英之

IPC: H01L43/06

CPC classification number: H01L43/06 ,  Y10S73/03

Abstract: 一种横向型霍尔器件，它具备有：基板；基板上的第1导电型活性层；把第1导电型活性层围起来的第1个第2导电型半导体层；在第1导电型活性层表面上形成对的高杂质浓度的第1个第1导电型半导体层和第2个第1导电型半导体层；在此一对第1个第1导电型半导体层上的电流供给电极；在此一对第1导电型半导体层上的传感器电极；在上述第1导电型活性层表面上，不同位置上形成的多数个第2个第2导电型半导体层。