公开(公告)号：CN1281249A

公开(公告)日：2001-01-24

申请号：CN00122655.X

申请日：2000-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鱼住宜弘 ,  大口寿史 ,  灘原壮一 ,  小川义宏 ,  冨田宽

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76897

Abstract: 使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂,相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。

公开(公告)号：CN1197135C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00122655.X

申请日：2000-06-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 鱼住宜弘 ,  大口寿史 ,  灘原壮一 ,  小川义宏 ,  冨田宽

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  C23F1/16

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用包含盐酸和过氧化氢溶液并且过氧化氢相对于氯化氢的克分子比为1/100以下的溶液作为腐蚀剂。能容易地相对于钨选择性地腐蚀氮化钛。

公开(公告)号：CN102386052A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110065920.8

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北岛由贵子 ,  富田宽 ,  林秀和 ,  大口寿史 ,  佐藤洋平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02101

Abstract: 本发明涉及超临界干燥方法以及超临界干燥系统。根据实施例，一种超临界干燥方法包括：向腔中引入其表面被超临界置换溶剂润湿的半导体衬底；向所述腔供应基于第一二氧化碳的第一超临界流体；在供应所述第一超临界流体之后，向所述腔供应基于第二二氧化碳的第二超临界流体；以及降低所述腔的内部压力以气化所述第二超临界流体并从所述腔排出气化的所述第二超临界流体。所述第一二氧化碳是通过回收和再生从所述腔排出的二氧化碳而产生的。所述第二二氧化碳不包含超临界置换溶剂或者所包含的所述超临界置换溶剂的浓度小于所述第一二氧化碳中所包含的所述超临界置换溶剂的浓度。

公开(公告)号：CN104795343A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410253690.1

申请日：2014-06-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林秀和 ,  佐藤洋平 ,  大口寿史 ,  富田宽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: B08B3/10 ,  B08B7/0021 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明涉及衬底处理方法及其设备。按照根据所述本发明实施例的衬底处理方法，将超纯水供应到衬底的表面。将含氟代醇溶剂供应到已附着所述超纯水的所述衬底的所述表面。将具有在所述含氟代醇溶剂中的溶解性并与所述含氟代醇溶剂不同的第一溶剂供应到已附着所述含氟代醇溶剂的所述衬底的所述表面。将已附着所述第一溶剂的所述衬底引入到室中，用超临界流体替代所述衬底的所述表面上的所述第一溶剂，接着，减小所述室内的压力并且将所述超临界流体改变为气体。从所述室取出所述衬底。