公开(公告)号：CN102034800A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010135730.4

申请日：2010-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林秀和 ,  富田宽 ,  相良润也 ,  田久真也 ,  户崎德大 ,  黑泽哲也 ,  北岛由贵子

IPC: H01L25/00

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08K3/08 ,  C08K5/0091 ,  C08L63/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/732 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的半导体装置具有：基板；第1半导体芯片(设置在基板上)；第2半导体芯片(设置在第1半导体芯片上，且背面进行了镜面处理)；以及粘结片(设置在第1半导体芯片与第2半导体芯片之间，且含有能捕获金属杂质离子的金属杂质离子捕获剂)。

公开(公告)号：CN102386052A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110065920.8

申请日：2011-03-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 北岛由贵子 ,  富田宽 ,  林秀和 ,  大口寿史 ,  佐藤洋平

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02101

Abstract: 本发明涉及超临界干燥方法以及超临界干燥系统。根据实施例，一种超临界干燥方法包括：向腔中引入其表面被超临界置换溶剂润湿的半导体衬底；向所述腔供应基于第一二氧化碳的第一超临界流体；在供应所述第一超临界流体之后，向所述腔供应基于第二二氧化碳的第二超临界流体；以及降低所述腔的内部压力以气化所述第二超临界流体并从所述腔排出气化的所述第二超临界流体。所述第一二氧化碳是通过回收和再生从所述腔排出的二氧化碳而产生的。所述第二二氧化碳不包含超临界置换溶剂或者所包含的所述超临界置换溶剂的浓度小于所述第一二氧化碳中所包含的所述超临界置换溶剂的浓度。