公开(公告)号：CN102034800A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010135730.4

申请日：2010-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林秀和 ,  富田宽 ,  相良润也 ,  田久真也 ,  户崎德大 ,  黑泽哲也 ,  北岛由贵子

IPC: H01L25/00

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08K3/08 ,  C08K5/0091 ,  C08L63/00 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/732 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明的半导体装置具有：基板；第1半导体芯片(设置在基板上)；第2半导体芯片(设置在第1半导体芯片上，且背面进行了镜面处理)；以及粘结片(设置在第1半导体芯片与第2半导体芯片之间，且含有能捕获金属杂质离子的金属杂质离子捕获剂)。