公开(公告)号：CN1102499A

公开(公告)日：1995-05-10

申请号：CN94108259.8

申请日：1994-07-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉浦伸竹 ,  加藤秀雄 ,  望月义夫

IPC: G11C17/08

CPC classification number: G11C11/5692 ,  G11C8/14 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/08 ,  G11C16/32 ,  G11C2211/5642

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储装置及读出方法，存储器的读出余裕大、印刷电路板小、读出电路能减小峰值电流。在将4值以上的数据写入一个存储单元的半导体存储装置中增加一个向字线提供大小不同的多数电位的可变电压电路。一边变换由该电路向字线施加的电压的大小，一边读出数据。读出动作分若干次进行，借以通过改变施加在指定存储单元上的电压大小，读出该存储单元。

公开(公告)号：CN100431052C

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN02151650.2

申请日：2002-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原德正 ,  齐藤荣俊 ,  志贺仁 ,  本多泰彦 ,  田浦忠行 ,  加藤秀雄

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/26

Abstract: 提供半导体集成电路装置及其读出开始触发信号的发生方法。该半导体集成电路装置设有：与存储体0对应的第一存储器单元阵列；与存储体1对应的第二存储器单元阵列；检测输入地址转变，发生第一地址转变信号的第一地址转变信号发生电路；事前检测存储体0或存储体1的自动执行结束，发生第二地址转变信号的第二地址转变信号发生电路以及读出开始触发器输出电路。读出开始触发器输出电路根据第一地址转变信号和第二地址转变信号，输出读出开始触发信号。

公开(公告)号：CN1770328A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107609.X

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部浩 ,  加藤秀雄 ,  葛西央伦 ,  成毛清实 ,  佐佐木启行

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/3404

Abstract: 在非易失半导体存储器件的数据擦除方法中，对存储单元进行以下处理：通过给其施加电压而执行编程，将存储单元的阈值给定值或以上；擦除这些存储单元，从而将它们的阈值设置为更低的值或以下；通过对所述存储单元施加更低的电压，在其阈值低于进一步低值的存储单元上只进行一次弱编程；当其阈值仍然低于进一步低值时，在该存储单元上重复进行弱编程，直到该值达到进一步更低值或以上为止；检验是否存在其阈值高于低值的存储单元；和在检验到存在上述存储单元时，将处理返回至将存储单元的阈值设置在低值或以下的处理。

公开(公告)号：CN100479064C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510107609.X

申请日：2005-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 渡部浩 ,  加藤秀雄 ,  葛西央伦 ,  成毛清实 ,  佐佐木启行

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/3404

Abstract: 在非易失半导体存储器件的数据擦除方法中，对存储单元进行以下处理：通过给其施加电压而执行编程，将存储单元的阈值给定值或以上；擦除这些存储单元，从而将它们的阈值设置为更低的值或以下；通过对所述存储单元施加更低的电压，在其阈值低于进一步低值的存储单元上只进行一次弱编程；当其阈值仍然低于进一步低值时，在该存储单元上重复进行弱编程，直到该值达到进一步更低值或以上为止；检验是否存在其阈值高于低值的存储单元；和在检验到存在上述存储单元时，将处理返回至将存储单元的阈值设置在低值或以下的处理。

公开(公告)号：CN1450563A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN02151650.2

申请日：2002-12-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 原德正 ,  齐藤荣俊 ,  志贺仁 ,  本多泰彦 ,  田浦忠行 ,  加藤秀雄

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C8/18 ,  G11C16/32 ,  G11C2216/22

Abstract: 提供半导体集成电路装置及其读出开始触发信号的发生方法。该半导体集成电路装置设有：与存储体0对应的第一存储器单元阵列；与存储体1对应的第二存储器单元阵列；检测输入地址转变，发生第一地址转变信号的第一地址转变信号发生电路；事前检测存储体0或存储体1的自动执行结束，发生第二地址转变信号的第二地址转变信号发生电路；以及读出开始触发器输出电路。读出开始触发器输出电路根据第一地址转变信号和第二地址转变信号，输出读出开始触发信号。

公开(公告)号：CN1038074C

公开(公告)日：1998-04-15

申请号：CN94108259.8

申请日：1994-07-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 杉浦伸竹 ,  加藤秀雄 ,  望月义夫

IPC: G11C17/08

CPC classification number: G11C11/5692 ,  G11C8/14 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5621 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/08 ,  G11C16/32 ,  G11C2211/5642

Abstract: 本发明提供了一种半导体存储装置及读出方法，存储器的读出余裕大、印刷电路板小、读出电路能减小峰值电流。在将4值以上的数据写入一个存储单元的半导体存储装置中增加一个向字线提供大小不同的多数电位的可变电压电路。一边变换由该电路向字线施加的电压的大小，一边读出数据。读出动作分若干次进行，借以通过改变施加在指定存储单元上的电压大小，读出该存储单元。